Kurs ishi Mavzu: 220/12V, 5A LI stabillashgan ta’minlash manbaini loyihalash

Bu filtrlarda KF filtrlarga nisbatan C
2
kondensator olib 
tashlangan, bu esa qsil aytarlik oshirmaydi. R
1
qarshilikning FIK ning 
oshirishga olib keladi. 

21 
21 
1.4.3 
– rasm. Yuklamaning tranzistor bilan parallel ulangan turi 
Yuklamaning tranzistor bilan parallel ulangan turi (1.4.3-
rasm) kam kuchlanishli va ko‗p tokli sxemalarda filtr sifatida 
ishlatiladi. 
Bu filtrlarda yuklamaga parallel ulangan tranzistor LC 
filtrlardagi C bilan ketma-ket ulangan. Bu filtrlar chiqishdagi 
kuchlanish orqali boshqariladi. Shuning uchun uning 
xarakteristikasi tashqi muhit ta‘siriga kam beriluvchandir. 
2. To‘g‘rilovchi diodlar
Diod—elektr tokini bir tomonlama o'tkazish xususiyatiga ega bo'lgan 
elektron asbobdir. Diodlar ikki xil: vakuumli (shisha ballonga 
joylashtirilgan ikki elektrodli elektron lampa) va yarim o'tkazgichli (asosi 
— germaniy va kremniy kristallari) bo'ladi. Diod quyidagicha tuzilishga 
ega (14 - rasm): germaniy monokristalidan yasalgan plastinka (a) dan 
iborat bo'lib, uning bir tomoniga bir tomchi indiy (b) payvandlangan. 
Bir-biridan chegara bilan ajralib turadigan elektron (n) va teshikli (p) 
o'tkazuvchanlikka ega bo'lgan ikkita soha hosil qilingan. Bu soha elektr 
tokini bir tomonlama o'tkazish xususiyatiga ega. Germaniy plastinkasi 
metall korpus (g) asosiga qalay (q) bilan kavsharlangan va u manfiy 

22 
22 
qutb hisoblanadi. Ikkinchi kontakt (d) indiy tomchisiga ulangan va u 
musbat qutb hisoblanadi. U shisha (f) izolator orqali korpusdan 
izolatsiyalangan. 
14 - rasm. Diod 
Diodning uchlari paneldagi «musbat» va «manfiy» ishoralar bilan 
belgilangan ikkita qisqichga ulangan. Tashqi elektr maydon bo'lmagan 
hoi uchun elektronli va teshikli yarim o'tkazgichlarning yondosh 
sohasida elektr maydon hosil bo'lishini qarab chiqamiz. Elektronlarning 
issiqlik energiyasi eng kichik holatiga mos keluvchi energiyadagi 
harakati tufayli elektronlar teshikli yarim o'tkazgich bilan chegaradosh 
qatlamda to'planadi, teshiklar esa teshikli yarim o'tkazgichga qo'shni 
elektronli yarim o'tkazgich qatlamida to'planadi. Shuning uchun 
elektronli yarim o'tkazgich 2 bilan chegaradosh bo'lgan teshikli yarim 
o'tkazgich 1 qatlam manfiy potensialga ega bo'ladi (15 - rasm). 
15 - rasm. Yarim o’kazgichlar elektr maydon ta’sirida. 
Teshikli yarim o'tkazgich 1 bilan chegaradosh bo'lgan elektronli yarim 
o'tkazgich 2 esa musbat potensialga ega bo'ladi. Elektron — teshikli 

23 
23 
o'tishga bevosita yopishib tur gan elektronli va teshikli yarim 
o'tkazgichlar sohalari orasida potensiallar ayirmasi hosil bo'ladi. 
Binobarin, elektr maydon paydo bo'ladi. Biror vaqt oralig'ida teshikli 
yarim o'tkazgichda qancha elektronlar qayta qo'shilsa, shu vaqt 
oralig'ida elektronli yarim o'tkazgichdan teshikli yarim o'tkazgichga 
shuncha elektron o'tadi, shu vaqt oralig'ida elektronli yarim o'tkaz-
gichda elektronlar bilan qancha teshiklar qayta qo'shilsa, shu vaqt 
oralig'ida teshikli yarim o'tkazgichdan elektronli yarim o'tkazgichga 
shuncha teshiklar o'tadi. Natijada ma'lum kattalikdagi elektr maydon 
vujudga keladi. 
Elektronli va teshikli yarim o'tkazgichlarning yondosh chegara yaqinida 
hosil bo'lgan qatlam 1 va 2da tok tashuvchilar (elektronlar elektronli 
yarim o'tkazgichlarda va teshiklar teshikli yarim o'tkazgichlarda) 
kamayganligini osongina tasawur qilish mumkin. Yupqa qatlamning 
qarshiligi yarim o'tkazgichning qolgan hajmidagi qarshilikdan ancha 
katta bo'ladi. Bu qatlam berkituvchi qatlam deb ataladi. 
Shunday qilib, elektronli va teshikli yarim o'tkazgichlar kontaktida 
ularning yondosh chegarasida kontakt potensiallar ayirmasi, 
shuningdek berkituvchi qatlam hosil bo'ladi. 
Bundan so'ng elektron-teshikli o'tishda o'zgaruvchan elektr tokini 
to'g'rilashning fizik mohiyatini yuqoridagilar asosida tushuntiriladi. 
Faraz qilaylik, bitta monokristallda hosil qilingan elektronli va teshikli 
yarim o'tkazgichlarning yondoshgan sistemasiga biror potensiallar 
ayirmasi berilgan bo'lsin. Unda teshikli yarim o'tkazgich musbat 
potensialga, elektronli yarim o'tkazgich esa manfiy potensialga ega 
bo'ladi (16 - rasm). Bu holda tashqi elektr maydon elektronli va teshikli 
yarim 
o'tkazgichning 
yondosh 
sohasidagi 
elektr 
maydonni 
kuchsizlantiradi

24 
24 
16 - rasm. 17 - rasm. 
va elektronli yarim o'tkazgichdan elektronlarni, teshikli yarim 
o'tkazgichdan esa teshiklarni bir- biriga qarama-qarshi harakatlantiradi 
(elektron — teshikli o'tish). Bunda berkituvchi qatlamning qalinligi va 
uning qarshiligi kamayadi. Elektron — teshikli o'tish orqali tok 
tashuvchilar ko'p o'tadi, binobarin, katta tok o'tadi. Bu sistemaga 
qo'yilgan potensialning ishorasi almashtirilsa (17 - rasm), tashqi elektr 
maydon elektronli va teshikli yarim o'tkazgichning yondosh sohasidagi 
maydonni kuchaytiradi. 
Tok tashuvchilar tashqi maydon ta'sirida yarim o'tkazgichlarning 
bo'linish chegarasida harakatlanadi. Berkituvchi qatlamning qalinligi 
ortadi va uning qarshiligi ko'payadi. Buning natijasida elektron — 
teshikli o'tish orqali ancha kam tok o'tadi. 
Quyida yarim o'tkazgichli diodni tavsiflovchi eng muhim parametrlarni 
(muhit temperaturasi 20°C bo'lgan hoi uchun) keltiramiz: 
teskari kuchlanishning eng katta qiymati 400 V; eng katta teskari 
kuchlanishda teskari tok (o'rtacha qiymati) 0,3 mA; 
eng katta to'g'rilangan tok (to'g'ri tokning o'rtacha qiymati) 300 mA; 
eng katta to'g'ri tokda diodda kuchlanishning tushishi 0,5 V. 

Download 1,08 Mb.