1.4.2
– rasm. Tranzistorli emitterli filtrlarning (EF)
Bu filtrlarda KF filtrlarga nisbatan C
2
kondensator olib
tashlangan, bu esa qsil aytarlik oshirmaydi. R
1
qarshilikning FIK ning
oshirishga olib keladi.
21
21
1.4.3
– rasm. Yuklamaning tranzistor bilan parallel ulangan turi
Yuklamaning tranzistor bilan parallel ulangan turi (1.4.3-
rasm) kam kuchlanishli va ko‗p tokli sxemalarda filtr sifatida
ishlatiladi.
Bu filtrlarda yuklamaga parallel ulangan tranzistor LC
filtrlardagi C bilan ketma-ket ulangan. Bu filtrlar chiqishdagi
kuchlanish orqali boshqariladi. Shuning uchun uning
xarakteristikasi tashqi muhit ta‘siriga kam beriluvchandir.
2. To‘g‘rilovchi diodlar
Diod—elektr tokini bir tomonlama o'tkazish xususiyatiga ega bo'lgan
elektron asbobdir. Diodlar ikki xil: vakuumli (shisha ballonga
joylashtirilgan ikki elektrodli elektron lampa) va yarim o'tkazgichli (asosi
— germaniy va kremniy kristallari) bo'ladi. Diod quyidagicha tuzilishga
ega (14 - rasm): germaniy monokristalidan yasalgan plastinka (a) dan
iborat bo'lib, uning bir tomoniga bir tomchi indiy (b) payvandlangan.
Bir-biridan chegara bilan ajralib turadigan elektron (n) va teshikli (p)
o'tkazuvchanlikka ega bo'lgan ikkita soha hosil qilingan. Bu soha elektr
tokini bir tomonlama o'tkazish xususiyatiga ega. Germaniy plastinkasi
metall korpus (g) asosiga qalay (q) bilan kavsharlangan va u manfiy
22
22
qutb hisoblanadi. Ikkinchi kontakt (d) indiy tomchisiga ulangan va u
musbat qutb hisoblanadi. U shisha (f) izolator orqali korpusdan
izolatsiyalangan.
14 - rasm. Diod
Diodning uchlari paneldagi «musbat» va «manfiy» ishoralar bilan
belgilangan ikkita qisqichga ulangan. Tashqi elektr maydon bo'lmagan
hoi uchun elektronli va teshikli yarim o'tkazgichlarning yondosh
sohasida elektr maydon hosil bo'lishini qarab chiqamiz. Elektronlarning
issiqlik energiyasi eng kichik holatiga mos keluvchi energiyadagi
harakati tufayli elektronlar teshikli yarim o'tkazgich bilan chegaradosh
qatlamda to'planadi, teshiklar esa teshikli yarim o'tkazgichga qo'shni
elektronli yarim o'tkazgich qatlamida to'planadi. Shuning uchun
elektronli yarim o'tkazgich 2 bilan chegaradosh bo'lgan teshikli yarim
o'tkazgich 1 qatlam manfiy potensialga ega bo'ladi (15 - rasm).
15 - rasm. Yarim o’kazgichlar elektr maydon ta’sirida.
Teshikli yarim o'tkazgich 1 bilan chegaradosh bo'lgan elektronli yarim
o'tkazgich 2 esa musbat potensialga ega bo'ladi. Elektron — teshikli
23
23
o'tishga bevosita yopishib tur gan elektronli va teshikli yarim
o'tkazgichlar sohalari orasida potensiallar ayirmasi hosil bo'ladi.
Binobarin, elektr maydon paydo bo'ladi. Biror vaqt oralig'ida teshikli
yarim o'tkazgichda qancha elektronlar qayta qo'shilsa, shu vaqt
oralig'ida elektronli yarim o'tkazgichdan teshikli yarim o'tkazgichga
shuncha elektron o'tadi, shu vaqt oralig'ida elektronli yarim o'tkaz-
gichda elektronlar bilan qancha teshiklar qayta qo'shilsa, shu vaqt
oralig'ida teshikli yarim o'tkazgichdan elektronli yarim o'tkazgichga
shuncha teshiklar o'tadi. Natijada ma'lum kattalikdagi elektr maydon
vujudga keladi.
Elektronli va teshikli yarim o'tkazgichlarning yondosh chegara yaqinida
hosil bo'lgan qatlam 1 va 2da tok tashuvchilar (elektronlar elektronli
yarim o'tkazgichlarda va teshiklar teshikli yarim o'tkazgichlarda)
kamayganligini osongina tasawur qilish mumkin. Yupqa qatlamning
qarshiligi yarim o'tkazgichning qolgan hajmidagi qarshilikdan ancha
katta bo'ladi. Bu qatlam berkituvchi qatlam deb ataladi.
Shunday qilib, elektronli va teshikli yarim o'tkazgichlar kontaktida
ularning yondosh chegarasida kontakt potensiallar ayirmasi,
shuningdek berkituvchi qatlam hosil bo'ladi.
Bundan so'ng elektron-teshikli o'tishda o'zgaruvchan elektr tokini
to'g'rilashning fizik mohiyatini yuqoridagilar asosida tushuntiriladi.
Faraz qilaylik, bitta monokristallda hosil qilingan elektronli va teshikli
yarim o'tkazgichlarning yondoshgan sistemasiga biror potensiallar
ayirmasi berilgan bo'lsin. Unda teshikli yarim o'tkazgich musbat
potensialga, elektronli yarim o'tkazgich esa manfiy potensialga ega
bo'ladi (16 - rasm). Bu holda tashqi elektr maydon elektronli va teshikli
yarim
o'tkazgichning
yondosh
sohasidagi
elektr
maydonni
kuchsizlantiradi
24
24
16 - rasm. 17 - rasm.
va elektronli yarim o'tkazgichdan elektronlarni, teshikli yarim
o'tkazgichdan esa teshiklarni bir- biriga qarama-qarshi harakatlantiradi
(elektron — teshikli o'tish). Bunda berkituvchi qatlamning qalinligi va
uning qarshiligi kamayadi. Elektron — teshikli o'tish orqali tok
tashuvchilar ko'p o'tadi, binobarin, katta tok o'tadi. Bu sistemaga
qo'yilgan potensialning ishorasi almashtirilsa (17 - rasm), tashqi elektr
maydon elektronli va teshikli yarim o'tkazgichning yondosh sohasidagi
maydonni kuchaytiradi.
Tok tashuvchilar tashqi maydon ta'sirida yarim o'tkazgichlarning
bo'linish chegarasida harakatlanadi. Berkituvchi qatlamning qalinligi
ortadi va uning qarshiligi ko'payadi. Buning natijasida elektron —
teshikli o'tish orqali ancha kam tok o'tadi.
Quyida yarim o'tkazgichli diodni tavsiflovchi eng muhim parametrlarni
(muhit temperaturasi 20°C bo'lgan hoi uchun) keltiramiz:
teskari kuchlanishning eng katta qiymati 400 V; eng katta teskari
kuchlanishda teskari tok (o'rtacha qiymati) 0,3 mA;
eng katta to'g'rilangan tok (to'g'ri tokning o'rtacha qiymati) 300 mA;
eng katta to'g'ri tokda diodda kuchlanishning tushishi 0,5 V.
| 