|
Microsoft Word II -an imp.+
|
| bet | 32/142 | | Sana | 27.05.2024 | | Hajmi | 3,55 Mb. | | #255298 |
Bog'liq Microsoft Word II -an Tərkibli tranzistor.
Bipolyar tranzistorlar əsasında yaradılan ÜE-li gücləndirici kaskadların güclənmə əmsalları tranzistorun cərəyana görə h21e ötürmə əmsalı ilə müəyyən edilir. h21e əmsalının real qiymətləri tranzistorun tipindən və hazırlanma texnologiyasından asılıdır. Bir neçə tranzistoru kaskad şəklində qoşmaqla h21e əmsalını artırmaq olar. Bu cür qoşulmuş tranzistorlar tərkibli tranzistor adlanır. Tərkibli qoşulma sxemlərində tranzistorlardan birincisinin çıxışı ikincinin girişinə birbaşa birləşdirilmiş olur. Eyni keçiriciliyə malik tranzistorlardan təşkil olunan tərkibli tranzistor sxemi Darlinqton sxemi, müxtəlif keçiriciliyə malik tranzistorlardan təşkil olunan isə komplementar tranzistor sxemi (Şklayi sxemi) adlanır.
Tərkibli tranzistorların Darlinqton sxemi. Darlinqton sxemində eyni işarəli (tipli) tranzistorlar ardıcıl qoşulurlar. Sxemin güclənmə əmsalı ayrı- ayrı tranzistorların güclənmə əmsallarının hasilinə bərabər olur. Bu sxem böyük cərəyanla işləyən sxemlərdə, məsələn, gərginlik stabilizatorlarında, güc gücləndiricilərinin çıxış kaskadlarında, böyük giriş müqavimətinin (impedans) təmin olunması lazım gələn gücləndiricilərin giriş kaskadlarında istifadə edilir. (şəkil 2.21). Belə sxemlərdə baza-emitter aralığındakı gərginlik düşküsü adi tranzistordakından iki dəfə böyük olur.
Bu sxem kiçik cəldliyə malikdir, çünki VT1 tranzistoru VT2 tranzistorunu tez aça bilmir. Bunu nəzərə alaraq, adətən VT2 tranzistorunun baza-emitter aralığına rezistor qoşurlar. Bu rezistor VT1 və VT2 tranzistorlarının sızma cərəyanları hesabına VT2 tranzistorunun keçiricilik oblastına tərəf sürüşməsinin qarşısını alır. Güclü Darlinqton sxemində bu rezistor bir neçə yüz Om, zəif siqnallı tranzistor halında isə bir neçə min Om olur. Şəkildə tranzistorlar ÜE-li sxem üzrə qoşulublar. Hər bir tranzistor üçün
İk1 = Ib1 h21e1 + İkb01 , İk2 = İb2 h21e2 + İkb02
yazmaq olar. Göstərilən sxem üçün İb2=İe1 şərti ödənilir. Bu halda VT2 tranzistorunun kollektor cərəyanını VT1 tranzistorunun baza cərəyanı vasitəsilə ifadə etmək olar. Sadə halda hər iki tranzistor üçün İkB0 =0 olduğunu qəbul etmək olar. Bu halda
İk2 = İe1 h21e2 =(İk1+İb1) h21e1 = (İb1 h21e1 + İb1) h21e1= İb1(h21e1+1) h21e2
olur. Tərkibli tranzistorun yekun çıxış cərəyanı
İçıx.yekun =İk1+İk2=İb1 h21e1 + İb1(h21e1 + 1) h21e2=İb1(h21e1+h21e2+h21e1 h21e2).
Nəzərə alsaq ki, h21e1 + h21e2 << h21e1h21e2, onda
İ.çıx. yekun =İb1 h21e1 h21e2
yazmaq olar.
Beləliklə, tərkibli tranzistorun cərəyana görə yekun ötürmə əmsalı, ayrı- ayrı tranzistorların ötürmə əmsallarının hasilinə bərabərdir.
Şəkil 2.21. Darlinqton sxemi
Darlinqton sxeminin kiçik çıxış cərəyanlarında işləyə bilməsi üçün (İe1 > Ikb0 şərtini ödəmək üçün) VT2 - nin emitter keçidi sürüşmə müqaviməti Rsür ilə şuntlanır. Bu rezistorun maksimum müqaviməti İkb cərəyanı hesabına onda ayrılan gərginliyin tranzistoru aça biləcək qiyməti ilə təyin edilir.
|
| |
