16
1.5- rasm. Tranzistorning umumiy emitterli sxema bo‘yicha ulanishining
funksional sxemasi
Tranzistorni umumiy emitterli sxema bo‘yicha ulanishi sxemasining kirish
qarshiligi tranzistorning kirish xarakteristikasi orqali aniqlanadi. U tranzistorning
baza toki, demak, kollektor tokiga bog‘liq bo‘ladi. Tranzistorni umumiy emitterli
sxemasining amplituda-chastota xarakteristikasida yuqori kuchaytirish chastotasi
tranzistorning boshqa ulanish sxemalariga qaraganda minimal bo‘ladi. Umumiy
emitterli sxema bo‘yicha tranzistorning yuqori kuchaytirish chastotasi
f
β
(
f
h21e
)
chastota orqali cheklangan.
Umumiy bazali sxema
Umumiy bazali sxema odatda yuqori chastotalarda qo‘llanadi. Tranzistorning
bunday ulanish sxemasining quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti umumiy
emitterli sxemaga qaraganda kichik bo‘ladi. Bu tranzistorning umumiy bazali
ulanishi sxemasi tok bo‘yicha kuchaytirmasligiga bog‘liq. Bu sxemada
kuchaytirish faqat kuchlanish bo‘yicha bo‘lib o‘tadi. Tranzistorning umumiy
bazali ulanishi funksional sxemasi 1.6- rasmda keltirilgan.
Bu sxemada ham kollektor va baza ta’minoti zanjirlari ko‘rsatilmagan.
Tranzistorning umumiy bazali ulanishi sxemasining kirish qarshiligi sifatida
tranzistorning emitter qarshiligi xizmat qiladi, shuning uchun umumiy bazali
ulanishi sxemasining kirish qarshiligi kichik bo‘ladi. Uning kirish qarshiligi barcha
ulanish sxemalaridan eng kichigi hisoblanadi, lekin bu sxema uchun bu kamchilik