|
Toshkent davlat transport universiteti
|
| bet | 75/125 | | Sana | 16.11.2023 | | Hajmi | 4,71 Mb. | | #99646 |
Bog'liq ENG SO\'NGGI Birinchi qism tipografiya uchun (1)12.1- rasm. Bipolyar (a), unipolyar (b) tranzistorlarda yig’ilgan yuqori chastotaviy korreksiya zanjiriga ega bo’lgan kuchaytirgichning prinsipial sxemasi
U quyidagicha ishlaydi. Yuqori chastotalar sohasida kuchaytirish koeffitsienti sig’imning shuntlash ta’sirida kamayar edi. Sxemaga kiritilayotgan L induktivlik g’altagi S0 va Rekv elementlar bilan birgalikda ekvivalent parallel tebranish konturini hosil qiladi (12.2 a-rasm).
12.2-rasm. Ekvivalent yuklama konturi (a) va unipolyar tranzistorli kuchaytirgichning ekvivalent sxemasi (b)
Uning to’liq qarshiligi, ya’ni kuchaytirgich yuklamasi rezonans chastotada eng katta bo’ladi.
Shunga ko’ra kuchaytirish koeffitsienti ham ortib boradi. Agar shunda ekvivalent konturning rezonans chastotasi chastotaviy xarak- teristikaning S0 sig’im ta’sirida pasaygan qismiga to’g’ri kelsa, kuchaytirish koeffitsientining rezonans vaqtidagi ortishi xarakteristikaning yuqori chastotalar tomon kengayishiga olib keladi. Lekin bunda chastotaviy xarakteristika silliq chiziq bilan ifodalanmasligi, ya’ni do’nglik hosil bo’lishi ham mumkin.
Kuchaytirgichning chiqish qarshiligi va keyingi kaskadning kirish qarshiligi ekvivalent konturning rezonans xususiyatlariga kuchli ta’sir ko’rsatadi. Masalan, Rkir.2 qarshilik kichik bo’lsa, u ekvivalent konturni shunday shuntlashi mumkinki, yuqori chastotalar sohasida konturning to’liq qarshiligining ortishi sezilmay ham qoladi. Bu narsa ko’proq bipolyar tranzistorli ku- chaytirgichlarga tegishlidir. Chunki ularning kirish va chiqish qarshiliklarining aktiv qismi nisbatan kichik bo’ladi. Undan tashqari, bipolyar tranzistorlarning parametrlari uning ish rejimiga juda bog’liq bo’ladi. Demak, bipolyar tranzistorli kuchaytirgichlarning xarakteristikasini yuqori chastotalar sohasida korreksiyalash kam samara beradi.
Unipolyar tranzistorda yig’ilgan kuchaytirgichlarda yuqorida qayd etilgan kamchilik juda kam ta’sir qiladi. Chunki ularning kirish qarshiligi kuchaytirgichning yuklama qarshiligidan yetarlicha katta bo’ladi va konturning rezonans xususiyatlarini juda oz o’zgartadi.
12.2 b-rasmda unipolyar tranzistorda yigilgan kuchaytirgichning ekvivalent sxemasi ko’rsatilgan. Undagi ekvivalent konturning to’liq qarshiligi
(12.2)
Agar (5.25) formulani hisobga olsak, kuchaytirgichning normallashtirilgan chastotaviy xarakteristikasi quyidagicha ifodalanadi:
(12.2)
Bunda R0 - Rn va Ri rezistorlarning shuntlash
ta’sirini o’z ichiga oluvchi
stok zanjirining to’liq
rezistiv qarshiligi.
Ωv = ωR0C0 - normallashtirilgan yuqori chastota.
- yuqori chastotaviy korreksiya parametri.
Demak, yuqori chastota sohasi korreksiyalangan kuchaytirgichning chastotaviy xarakteristikasi bitta R parametr bilan xarakterlanar ekan. R ortishi bilan chastotaviy xarakteristika yuqori chastotalar sohasi tomon kengayib borishi kerak. Lekin bu R ning kritik qiymat (Rkr) deb ataluvchi qiymatigacha to’g’ri bo’ladi. Ukdan keyingi qiymatlarda (R>Rkr) chastotaviy xarakteristikada do’nglik paydo bo’la boshlaydi. U o’tkazish sohasini kengaytirish o’rniga torayishiga sabab bo’lishi mumkin. R ning kritik qiymatini aniqlaylik.
Ekstremum sharti dan
P2Ω04 + 2PΩ02 - (R2 + 2 R - 1) = 0
tenglama hosil bo’ladi. Uning haqiqiy yechimi
(12.3)
ekstremum hosil bo’ladigan chastotani ifodalaydi. Bu chastota R parametrga bog’liq bo’lib, uning biron qiymatida mavhum bo’lib qoladi. R ning ana shu qiymati maksimumli chastotaviy xarakteristikadan maksimumsiz xarakteristikaga (va, aksincha) o’tish holatini ifodalaydi. U holat Ωo=0 qiymatga to’g’ri keladi. Shunga ko’ra korreksiya parametrining kritik qiymati P2kr + 2 Pkr-1= 0 tenglamadan aniqlanadi va Rkr = 0,41 bo’ladi.
Chastotaviy xarakteristikaning korreksiya parametriga qarab o’zgarishi 12.3-rasmda ko’rsatilgan.
|
| |
