74
volt-amper xarakteristikasi ko‘rsatilgan. Unda 1-chiziq issiqlik bo‘lishi, 2-chiziq esa,
elektr buzilishini ko‘rsatadi.
Kontakt sohasining kengligiga qarab yarim o‘tkazgichli diodlar nuqtaviy va
yassi diodlarga ajratiladi.
a)
b)
3.2.1-rasm. a) yarim o‘tkazgichli diodning sxemada belgilanishi; b) Volt-amper
xarakteristikasi
Bu asbobda p-n utish mavjud bulib, uning r va n soxalaridan ulanish uchi
chikarilgan
bo‘ladi. Yarim o‘tkazgichli diodning
tuzilishi
va
volt
amxarakteristikasi quyidagicha bo‘ladi.
3.2.2-rasm. Diod va uni tavsifi
75
p-n utish hosil kiluvchi soxalarning birida asosiy tok tashuvchi zarrachalarning
kontsentratsiyasi ko‘p bulib, u emitter deb ataladi.
Ikkinchisi esa baza deb ataladi. Harakteristikaning tugri p-n o‘tishiga tugri kelgan
qismidan diodning differentsial qarshiligi hisoblanadi:
Rd = dU / dI (3.2.1)
Volt – amper xarakteristikasidan ko’rinib turibdiki yarim o‘tkazgichli diod ham
nochiziqli elementlar qatoriga kiradi Diodlardan signallarni to’g’irlash, detektorlash,
modulyatsiyalash ishlarida foydalaniladi.
To’g’rilagich diodlar past chastotali ( <50 kGts) o‘zgaruvchan toklarni
to’g’irlashda ishlatiladi. Tayyorlanish texnalogiyasiga ko’ra diodlar yassi diodlarda
p- n o’tishning yuzini belgilovchi o’lchamlar uning
qalinligiga nisbatan katta
bo‘ladi.
To’g’rilagich diodlar sifatida asosan yassi diodlar ishlatiladi To’g’ri yo’nalishda
o’tuvchi to’g’irlangan tok kuchi.
1600 A gacha, teskari yo’nalishda 1000V gacha kuchlanishga mo’ljallangan
diodlar ishlab chiqariladi.Bunday katta tokni o’tkazuvchi diodlar ish jarayonida
qiziydi. Shu sababli diodlarga issiqlikni sochuvchi radiatorlar kiydirilib montaj
qilinadi. Kremniyli to’g’irlagich diodlarning ishchi temperaturasi 125
0
C gacha
bo’lishi mumkin.
Yuqori chastotali diodlar signallarni detektorlash, o‘zgartirish, modulyatsiyalash
kabi ishlarda kullaniladi. Bu ishlarni bajarishda diodning xususiy sig‘imi
pikofaradaning o’ndan bir ulushlarida bo’lishi muxim ahamiyatga ega. Bunday
diodlarda sig‘im kichik bo’lishi talab qilinganligi tufayli
asosan nuktaviy diodlar
ishlatiladi. Bunday diodlarning sig‘imi pikofaradaning o’ndan bir ulushlarida
bo’lishi mumkin. Xozirgi kunda ishchi chastotasi 1000 MGts gacha bo’lgan yuqori
chastotali diodlar mavjud. Yuqori chastotali diodlar kichik teskari kuchlanishda va
kichik to’g’ri toklar rejimida ishlaydi. Masalan germaniyli nuktaviy diodning ishchi
76
teskari kuchlanishi 350V gacha to’g’ri yo’nalishdagi tok kuchi 100mA (Utug = 1,
28) gacha
bo’lishi mumkin.
Impuls rejimida ishlaydigan diodlar radio sxemalarda kalit vazifasini bajaradi. Bu
rejimda asosan nuktaviy va kichik yassi diodlar ishlatiladi. Diod ikki xil holatda
bo‘ladi: «ochiq» yoki «yopiq». Ochiq holda diod qarshiligi
kam yopiq holda katta
bo‘ladi. Impuls sxemalarida diodning bir holatdan ikkinchi holatga qanchalik tez
o‘tishi ahamiyatlidir.
Yarim o‘tkazgichli kuchlanish stabilizatori. (Stabilitron, stabistor). Bu yarim
o‘tkazgichli diod zanjirga teskari
p-n o’tish hosil bo‘ladigan qilib ulanadi. Ish rejimi
diod xarakteristikasini teskari yo’nalishda yorib (teshib) utuvchi tok utadigan
kismiga tugri keladi.Yorib o’tish
deyilganda, diodga teskari
p-n o’tishga tug’ri
keladigan kuchlanish qo’yilib, uning ma’lum qiymatida teskari tokning keskin ortib
ketishi tushuniladi. Diodda ko’chkili, tunnel va issiqlik ta’sirida yorib o’tishlar
kuzatilishi mumkin.
Yarim o‘tkazgichda aralashma miqdori juda kichik bo‘lganda, katta teskari
kuchlanish ta’sirida bo’lgan elektronlar va kovaklar neytral yarim o‘tkazgich
atomining yana bitta kovalent bog’langan elektronini urib chiqarishi mumkin.
Natijada zaryad tashuvchi zarrachalarning yangi jufti hosil bo‘ladi. Yetarli
miqdordagi teskari kuchlanishda bunday urib chiqarish ko’chkisimon ko’rinishda
namoyon bo‘ladi.
Tunnel orqali yorib o’tishda kuchli elektr maydon ta’sirida (2 10
5
V/sm,
germaniy uchun va 4 10
3
V/sm) elektr soxalarining chegarasi
siljiydi va chegara
yaqinida kichik potensial to’siqqa ega bo’lgan tuynuk ochiladi. Qarshiligi kichik
yarim
o‘tkazgichlarda tunnel orqali tok o’tish ko’chkisimon o’tish kuzatiladigan
kuchlanishdan kichikroq kuchlanishlarda ro’y beradi. Qarshiligi katta bo’lgan yarim
o‘tkazgichlarda esa, aksincha.
77
Issikliq ta’sirida yorib o’tishda p-n o’tish soxasi qizib, unda asosiy bo‘lmagan tok
tashuvchilarning ko‘payishi va natijada teskari yo’nalishdagi tokning ortib ketishi
kuzatiladi.
Ko’chkisimon va tunnel orqali yorib o’tishlar diodni ishdan chiqarmaydi. Shu
sababli bu o’tishda elektron qurilmalarda qo’llaniladi. Issiqlik ta’sirida yorib o’tish
esa, p-n o’tishni buzadi.
50>