U. U. Iskandarov, O. S. Rayimdjanova, M. A. Akbarova, S. J. Yo‘lchiboyeva




Download 2,84 Mb.
Pdf ko'rish
bet22/61
Sana04.12.2023
Hajmi2,84 Mb.
#110820
1   ...   18   19   20   21   22   23   24   25   ...   61
Bog'liq
elektronika

5

3.1.4 - rasm. Yarimo’tkazgich diodlarining grafik belgilanishi. 1 – diod, 2 – 
tunnelli diod, 3 – stabilitron, 4 – varikap, 5 – fotodiod, 6 – svetodiod.
Davlat Standarti 10862 - 72 ga muvofiq, diodlar quyidagicha markirovka qilinadi: 
birinchi element (‘arf yoki raqam) foydalanilgan yarimo’tkazgich materialni bildiradi. G 
yoki I - germaniy; K yoki 2 - kremniy; A yoki 3 - galliy arsenid. Ikkinchi element (harf) 
diodlarning klassini ko’rsatadi. s - to’rilagich ustunchalari; S - stabilitronlar; V - 
varikaplar; I - tunnelli diod; A – yorug’lik diodlari; OD - optronlar va hokazo. 
Uchinchi element (son) diodning xususiyatini aniqlaydi. To’rtinchi va beshinchi 
elementlar (sonlar) diodlarning texnologik ishlab chiqarish tartibini (0,1 dan 99 gacha) 
belgilaydi. Oltinchi element (‘arf) diodning parametrik gruppasini aniqlaydi 
(parametrlar spravochnikdan olinadi). Masalan: "G D 10 7 A" quyidagicha 
tushuntiriladi: germaniy kristallidan tayyorlangan (G) yarim- o’tkazgichli nuqtaviy (D), 
kichik quvvatli (I), 7 ishlab chiqarishda ( 07 ), "A" gruppa (to’ri tok  0,02 A, to’ri 
kuchlanish IB, teskari tok  0,02 teskari kuchlanish  I5B) ga xos diod. "3 0 D I 0 I A" - 
arsenid galliy yarimo’tkazgichli materialidan tayyorlangan optron juftli diod, birinchi 
ishlab chiqarilishi, parametrik gruppasi "A" (o’tkazish koeffitsienti I%, kirish 
kuchlanishi - 1,5V) va h.z. 
Р-n utish Elektr toqini bir tamonlama utkazish xususiyatiga ega ekanligidan 
uzgaruvchan toqlarni to’g’rilashda foydalaniladi. (Vakumli diodga uxshash). Shuning 
uchun 1 ta р-n utishga ega bo’lgan yarim o’tkazgichli kurilmaga yarim o’tkazgichli diod 
deyiladi. Misol tarikasida nuqtaviy germaniy diodini qarab chikamiz. (1-rasm)
Yarim o’tkazgichli diodlar konstruksion tuzilishiga qarab nuqtaviy va yassi bo’ladilar. 
Bu diodda Volframdan yasalgan nozik o’tkazgich n-tipli germaniyni alyuminiy bilan 
koplagan uchiga takalgan. Agar diod orqali to’g’ri yunalishda qisqa muddatli toq 


63 
impulsi yuborilsa Ge da Al ni konsentratsiyasi keskin oshadi. Natijada Al bilan boyigan 
r-o'tkazuvchanlikka ega Ge katlami hosil bo’ladi.
3.1.5-rasm. 
Ulanish 
Bu qatlam chegarasida juda yuqori to’g’rilash koeffitsentiga ega, р-n utish paydo 
bo’ladi. Kontakt katlam sigimining kichikligidan nuqtaviy diodlar yuqori chastotali 
tebranishlardan to santimetrli to’lqin uzunlikni diapazonigacha to’lqinlarni to’g’rilovchi 
sifatiga 
ishlatiladi. 
2-rasmda yassi mis ikki oqsidli (Cu
2
O) yarim o’tkazgichli diodning sxemasi 
tasvirlangan. Mis plastinkaga ximiyaviy ishlov berish yo’li bilan mis ikki oqsid Cu
2
O 
ustirilgan bo’lib oxirgi kumush katlami bilan koplangan. Mis plastinkaga tegib turgan 
va mis bilan boyitilgan Cu
2
O katlam Elektron o'tkazuvchanlikka, tayerlash jarayenida 
kislorod bilan boyitilgan misga yepishib turgan katlam esa, teshik o'tkazuvchanlikka 
ega. 
3.1.6-rasm. 
Ulash 
sxemasi 


64 
Shunday qilib, Cu
2
O katlamida р-n utish paydo bo’ladi. Uning berkituvchi katlami toqni 
faqat Cu
2
O dan Si yunalishida utkazadi xalos. 
Yarim o’tkazgichli diodning turlari nixoyatda kup bo’lib, ular va kuumli dioddan 
kator ustunliklarga ega: gabarit ulchamlarining kichikligi, F.I.K.ning yuqoriligi, xizmat 
muddatining uzunligi, ishga doimiy tayerligi va shularga uxshashlar. Lyokin ular 
kamchilikdan xam holi emaslar. Masalan: haroratga juda segirligi, shuning uchun 
ularning ish haroratlari chegaralangan (-70
0
S dan 120
0
S) gacha bo’ladi. 
Р-n utishlardan uzgaruvchan toqni to’g’rilashdan tashkari Elektr tebranishlarini 
kuchaytirishda, sxemaga teskari boglanish kiritilsa, Elektr signallarni generatsiyalash 
(hosil qilishda) da keng foydalaniladi. Bu vazifalarni bajaruvchi yarim o’tkazgichli 
kurilmaga triod yoki tranzistor deyiladi. Тriodlar uzida 2 ta р-n utishni 
mujassamlashtirgan bo’lib, ular xuddi vakuumli triodlar kabi ishlaydilar. Тranzistorni 
birinchi bo’lib amerikalik olimlar D.Bardin, U.Shoqli va U.Bratteynlar 1949 yilda 
buned kildilar. Bu kashfiyetlari uchun ular 1956 yil Nobel mukoffoti lauriyati 
bo’lganlar. 
6.Тranzistorlar tayerlashda asosan germaniy va kremniy yarim o’tkazgichlaridan 
foydalaniladi. Bunga sabab ularni ximiyaviy barkarorligi, toq tashuvchi zarrachalarining 
harakatchanligining yuqoriligi va katta mexaniq mustaxkamlikka ega ekanligidir. Yarim 
o’tkazgichli triodlar xam konstruksion tuzulishiga qarab diodlar kabi nuqtaviy va yassi 
bo’ladilar. Nuqtaviy triodlar kuchlanishni sezilarli kuchaytirgani bilan qizish xavfli 
bo’lganidan kam kuvvatlidir. Masalan: germaniyli nuqtaviy triodning ishchi 
haroratining 
yuqorigi 
chegarasi 
80
0
S 
dan 
oshmaydi. 
Yuqori kuvvatga ega bo’lgan yassi triodlar utkazish soxalarining navbatlashishiga qarab 
р-n-pyoki n-р-n tipida yasaladi. Biz n-tipli yarim o’tkazgich asosida tayerlangan triodni, 
ya’ni р-n-ptipida tayerlangan yassi triodni ishlash prinsipi bilan tanishamiz. (3-rasm) 


65 
Yarim o’tkazgichli triodda Elektrodlar vazifasini emitter, baza va kollektorlar bajariladi. 
Baza tranzistorni o’rta qismi bo’lib n-o'tkazuvchanlikka ega. Uning chap va ung 
tamonlariga r-tip o'tkazuvchanlikka ega emmitter va kollektro yepishib turadi. 
Тranzistor Elektr sxemaga to’g’rilashda va kuchaytirishda ishtiroq kilmaydigan metall 
o’tkazgichlar yerdamida ulanadi. Emmitter va baza oraligiga to’g’ri yunalishda doimiy 
siljish 
kuchlanishi 
beriladi. 
3.1.7– rasm. Tranzistor ulanishi 
Kollektor va baza oraligiga esa, teskari yunalishdagi doimiy Sljish kuchlanishi 
beriladi. Kuchaytirilmoqchi bo’lgan uzgaruvchan kuchlanish kirish karshiligiga 
kondensator orqali beriladi. Nixoyat kuchaytirilgan kuchlanish chikish karshiligidan 
olinadi. 
Emitter zanjirida toqni skishini asosan asosiy toq tashuvchilar (emitter r-tip 
o'tkazuvchanlikka ega ekanidan) teshiklarni harakati taminlidi va teshiklarni baza 
soxasiga (shimilishi), "purkalishi" injeksiyalanishi sodir bo’ladi. Bazaga kirib olgan 
teshiklar kollektor yunalishida diffuziyalanadi (singib aralashadi). Agar, baza kalinligi 
uncha katta bo’lmasa bazaga shimilgan-injeksiyalangan teshiklarni sezilarli qismi 


66 
kollektroga yetib boradi. Bu teshiklar utish chegarasida ta’sir kiluvchi maydon 
tamonidan ushlab olinadilar, ya’ni manfiy zaryadlangan kollektorga tortiladilar va 
oqibatda kolektor toqini uzgartiradilar. Demak, emitter zanjiridagi toqninng har qanday 
uzgarishi kollektor zanjirida toqning uzgarishini yuzaga kelishiga sababchi bo’ladi. 
7.Yarim o’tkazgichli triodning kuchaytirish koeffitsenti р-n utishlarning xususiyatlariga, 
kolletor batariyasi kuchlanishiga va boshqalarga bogliq bo’ladi. Bunday triodlarni 
kuchaytirish koeffitsenti 
(3.1.1) 
gacha yetishi mumkin. 
Chikish karshiligida ajraladigan uzgaruvchan toq kuvvati, emitter zanjirida 
sarflanadigan kuvvatdan katta bo’lishi mumkin. Shuning uchun tranzistor kuvvatni xam 
kuchaytiradi. Bu kuvvatning kuchayishi kollektor zanjiriga ulangan toq manbai 
energiyasi hisobiga yuzaga keladi. 
n-р-n tipidagi tranzistorning ishlash prinsipi р-n-p tip tranzistornikiga uxshaydi, 
ammo teshiklar vazifasini elektronlar bajaradi. 
Yarim o’tkazgichli triodni vakuumli triod bilan takkoslaylik. Bu ikkala triod 
yerdamida kuchlanishni va kuvvatni kuchaytirish mumkin. Vakuum triodda anod toqi 
qiymati tur kuchlanishi bilan boshqarilsa, tranzistorda lampani anod toqiga mos 
kollektor toqi, emitter kuchlanishi bilan boshqariladi. Shunday qilib, tranzistorda anod 
vazifasini-kollektor, katod va tur vazifasini emitter bajaradi desa bo’ladi. 
Тranzistorlar vakuumli triodlarga nisbatan kator afalliklariga xam ega: 1 gabarit 
ulchamlarining kichikligi, F.I.K.ning yuqoriligi, xizmat muddatining uzun ekanligi, 
qizishi lozim bo’lgan noqalning yo’qligi, vakuum hosil qilishga muxtojmasligi, lampa 


67 
urnatiladigan 
uyaning 
kerak 
emasligi 
va 
x.k. 
va 
shunga 
uxshashlar. 
Ammo, tranzistorlarning kamchiligi xam bor bo’lib, ulardan eng asosiy kamchiligi 
ularning haroratga uta sezgirligidadir. Хozirgi kunda bu kamchiliklardan holi yarim 
o’tkazgichlar tayerlash ustida ish olib borilmoqda. Dunedagi boshqa rivojlangan 
Davlatlar katori Uzbyokistonda xam yarim o’tkazgichlar fizikasi eng yo’qsak 
rivojlangan hisoblanadi. 
Тranzistor-aloqani Elektron vositalari soxasida tub uzgarishni amalga oshirdi va katta 
xajmli xotiraga ega, hisoblash tezligi yuqori bo’lgan zamonaviy Elektr hisoblash 
mashinalarini yuzaga kelishini ta’minladi. 

Download 2,84 Mb.
1   ...   18   19   20   21   22   23   24   25   ...   61




Download 2,84 Mb.
Pdf ko'rish

Bosh sahifa
Aloqalar

    Bosh sahifa



U. U. Iskandarov, O. S. Rayimdjanova, M. A. Akbarova, S. J. Yo‘lchiboyeva

Download 2,84 Mb.
Pdf ko'rish