60
VAX juda ko’p faktorlarga boliq. Masalan, tashqi ‘arakatga, kontakt so’asining
geometrik o’lchamlariga, tok toshuvchilar
miqdoriga, teskari kuchlanish kattaligiga va
hokozo.
Amaliy ji’atdan bu faktorlarning teskari tokka taosiri katta a’amiyatga ega.
Masalan, mu’it ‘aroratining ko’tarilishi yoki teskari kuchlanishning biror qiymatgacha
oshirilishi teskari tokning birdaniga ko’payib ketishiga, natijada р-n o’tishning
buzilishiga (kuyishiga) sabab bo’ladi.
Umuman olganda р-n – o’tishning buzilishi (yemirilish) turlari xilma-xil bo’ladi.
Shulardan issiqlik va elektr buzilishini ko’raylik.
Issiqlik buzilishi solishtirma qarshiligi yetarlicha katta va р-n o’tish so’asi keng
bo’lgan yarimo’tkazgichlarda kuzatiladi. Yarim o’tkazgichning
qizishi bilan kristall
panjaraning issiqlik ‘arakati ortadi va ko’plab elektronlar valent bolanishlarini uzib
yerkin elektronga aylanadi. Natijada kristallning xususiy o’tkazuvchanligi ortadi. Bunda
yarimo’tkazgichning qizishi faqat tashqi mu’it ‘aroratining ortishi bilan belgilanmaydi.
р-n o’tishdan o’tadigan tok ‘am uning qizishiga olib keladi. Agar р-n o’tishda
ajraladigan issiqlikni yo’qotish chorasi ko’rilmasa, issiqlik buzilishi maydon
kuchlanganligining kichik qiymatlarida ‘am sodir bo’lishi mukin.
Elektr buzilishi asosiy bo’lmagan tok tashuvchilar sonining yarimo’tkazgich
‘ajmidagi elektr maydon kuchlaganligi ortishi tufayli ko’payishga boliq. Bunda maydon
kuchlanganligi ortishi bilan tok tashuvchilarning ‘arakat tezligi ortadi. Natijada urilish
tufayli ionlanishning kuchkisimon ko’payishi vujudga keladi. U р-n o’tishning
buzilishiga olib keladi.
Ikkinchi tomondan, maydon kuchlanganligining ortishi
avtoelektron emissiya ‘odisasiga ‘am sabab bo’ladi. Buning natijasida ‘am buzilish
sodir bo’ladi.
Keng р-n o’tishda diodlarda urilish ionlanishi tufayli, tor р-n o’tishli diodlarda esa,
avtoelektron emissiya tufayli buzilishi sodir bo’ladi.
61
Elektr buzilishining issiqlik
buzilishidan farqi shundaki, unda kuchlanish
o’zgarishining biror oraliida teskari tok kuchlanishiga boliq bo’lmay qoladi va jarayon
qaytar bo’ladi, yaoni maydon kuchlanganligi yo’qolishi bilan boshlanich ‘olat tiklanadi.
3.1.2 - rasm. Yarimo’tkazgichli diodning to’liq volpt-amper xarakteristikasi.
3.1.2 - rasmda yarimo’tkazgichli diodning to’liq volpt-amper xarakteristikasi
ko’rsatilgan. Unda 1-chiziq
issiqlik buzilish, 2-chiziq esa elektr buzilishini ko’rsatadi.
Kontakt soxasining kengiligiga qarab yarimo’tkazgichli diodlar nuqtaviy va yassi
diodlarga ajratiladi. Biz tanishgan diodlar yassi diodlardir. Ulardan to’ri tokning
kattaligi kontakt yuzasi kengligiga boliq bo’lib, qiymati
bir necha milliamperdan bir
necha yuz ampergacha yetadi.
Nuqtaviy diodlarning kontakt yuzasi juda kichik bo’ladi. Ular nuqtaviy kontaktli
payvandlash yo’li bilan ‘osil qilinadi. Nuqtaviy diodlarning yassi diodlardan afzalligi
shundaki, ularning р-n o’tish siimi juda kichik bo’ladi.
Shuning uchun ularni yuqori
chastotali qurilmalarda ishlatish mumkin.
Hozirgi paytda infraqizil, ultrabinafsha va ko’rinuvchi nurlar spektorini sezuvchi
optoelektron diodlar katta qiziqish uyotmoqda.
3.1.3 - rasmda diodlarning sxemadagi shartli belgilanishi keltirilgan.
