strukturaviy o ‘zgarishlari dislokatsiyalar nazariyasidan foydaSanilgan
holda juda yorqin yoritilishi mumkin. Dislokatsiya kristall panjaradagi
boshqa turdagi nuqsonlardan o ‘zining tabiatiga ko‘ra keskin farq
qiluvchi maxsus turdagi nomukammallik hisoblanadi. Real kristallar-
da chiziqli dislokatsiyaning ikki turi mavjud.
Kristall yuzasidagi
hamma vakansiyalar to‘planib nuqsonlar yig‘indisi halqasini hosil
qiladi. Mana shu halqa yuzasiga tik tekisliklardagi atomiaming tartibli
joylashi geometriyasi biroz buziladi-chetki dislokatsiya hosil boMadi.
1.7-rasm. Kub panjarali chekka dislokatsiya: strelka
-
siljish vektori
Siljish natijasida kristall yuqori qismida ortiqcha yarim tekislik
hosil boMadi. Bu yarim tekislik elektrotekislik deb nomlanadi.
Elektrotekislik chekkalari bo‘ylab nomukammal panjarali soha
tortilgan boMib, elektrotekislik chekkasi yuqorisida atomlararo masofa
normal qiymatlaridan kichik (atomiaming quyuqlashgan sohasi),
pastki qismida esa katta (atomiaming siyraklashgan sohasi).
Elektrotekislik chekkasi atrofidagi kristalldagi
nomukammallik sohasi
chekkadagi dislokatsiya deyiladi. Chekkadagi dislokatsiya chizigM
siljish vektoriga perpendikular boMadi. Chekka dislokatsiyani shartli
ravishda, agar u ekstrotekislik yuqorisida joylashgan boMsa, musbat va
aksincha pastki qismida boMsa manfiy deyiladi. Ikkinchi turdagi
dislokatsiya vintsimon dislokatsiya boMib, u kristallda tilik qilingan
boMsa va kristallning bir qismi ikkinchi qismiga nisbatan bir atomlar
aro masofaga pastga siljigan hollarda namoyon boMadi. Vakansiya
to ‘plangan joydagi normal yo‘nalish bo‘yicha siljish natijasida hosil
boMgan dislokatsiya
vintsimon dislokatsiya deb ataladi. Kristallda bir
atom tekislikka siljish natijasida gelikoid ko‘rinishidagi burilish
(vintsimon narvon) supacha hosil boMadi.
Chekka dislokatsiyadan
15
farqli ravishda vintsimon dislokatsiya birinchidan siljish vektoriga
parallel, ikkinchidan esa u siljish vektorini aniqlamaydi. Y a’ni
vintsimon dislokatsiya istalgan tekislik bo'ylab siljishda hosil bo‘lishi
mumkin.
Kristallarning 1 sm2 yuzini kesib o ‘tgan dislokatsiya soni
dislokatsiya zichligi deb ataladi. Sekin
kristallangan jismlarda
dislokatsiya zichligi 102—104 sm'2 ga, muvozanatdagi polikristallarda
dislokatsiya zichligi 106—10' sm'2 ga teng boMadi. Puxtalash natijasida
dislokatsiya zichligi 1010- 1 0 12 sm' gayetadi.
Qotishma tarkibi deganda, uni tashkil etuvchi kimyoviy
elementlar tushuniladi.
Tuzilishi deganda, ko‘z
yoki lupa yordamida
ko‘rib bo‘ladigan makrotuzilish, mikroskoplar (1.9-rasm) yordamida
kuzatiladigan mikrotuzilish, 100 ming marta katta qilib ko‘rsatadigan
elektron mikroskoplarda yoki rentgen nurlari ta’sirida o‘rganiladigan
supmikroskopik tuzilish tushuniladi.
Xossalari deganda,
kimyoviy,
fizik, mexanik va texnologik xossalari tushuniladi.
1.9-rasm. М И М -7 М mikroskopL
16
