|
Avtomatikaning texnik vositalari (darslik) automatically € technical objects
|
| bet | 24/75 | | Sana | 18.12.2023 | | Hajmi | 2,66 Mb. | | #122696 |
Bog'liq Avtomatikaning texnik vositalari (darslik) automatically € techn (1) (1)
Fotoelektrik datchiklar guruxiga kiruvchi fotodiodlar va ventilli fotoelementlarning ish prinsipi ichki fotoeffekt hodisasiga asoslangan bo‘ladi. Ichki fotoelektrik effekt urug‘lik oqimi ta‘sirida erkin elektronlar o‘zining energetik holatini o‘zgartirib, moddaning o‘zida qolishi xodisasi bilan xarakterlanadi. Bunda modda ichida ko‘cha oladigan erkin zaryadlar hosil bo‘ladi. Erkin zaryadlar modda ichida ko‘chganda fotoelektr yurituvchi kuchlarni hosil qi- ladi (ichki fotoeffektli fotoelementlar shu prinsipda qurilgan) yoki elektr o‘tkazuvchanlikni o‘zgartiradi (fotoqarshiliklar shu prinsipda qurilgan).
Ichki fotoeffektli fotoelementlar ko‘pincha ventilli fotoelementlar deb ata- ladi. Selenli fotoelementlar eng ko‘p tarqalgan fotoelementlar hisoblanadi. Selenli
fotoelementning tuzilishi va sxemasi 2.25, a-rasmda, uning xarakteristikasi esa 2.25, b-rasmda ko‘rsatilgan.
Ф
1
а) б)
2.25-rasm. Fotoelement va uning tavsifnomasi.
Element (2.25,a-rasm) yupqa oltin qatlami 1, berkituvchi qatlam 2, selenli qatlam 3 va po‘lat taglik 4 dan iborat. Selenning oltin bilan chegarasida berkituvchi qatlam hosil bo‘ladi; bu qatlam detektorlik xususiyatiga ega bo‘lib, yorug‘lik oqimi bilan urib chiqarilgan elektronlarning orqaga qaytishiga imkon bermaydi. Yorug‘lik oqimi oltin qatlamidan o‘tib, ventilli fotoeffekt hosil qiladi, shunda el- ektronlar yoritilgan qatlamdan yoritilmagan (izolyatsion berkituvchi qatlam bilan ajratilgan) qatlamga o‘tadi.
Fotorezistor – yarim o‘tkazgich fotoelektrik asbob bo‘lib, bunda foto o‘tkazuvchanlik hodisasi qo‘llaniladi, ya‘ni optik nurlanish ta‘sirida yarim o‘tkazgichni elektr o‘tkazuvchanligi o‘zgaradi. Fotorezistor tuzilishi quyidagi rasmda ko‘rsatilgan.
rasm. Fotorezistorning tuzilishi va ulanish sxemasi. 1-plyonka yoki plastik 2-dielektrik material.
Asosiy kattaliklari:
Si , (2.31)
Qorong‘ulik qarshiligi – yoritilmagan fotorezistorlarning qarshiligi qiymati teng diapazonga ega Rk =102 109 Om;
Ishchi kuchlanishi – ishchi kuchlanish qiymati fotorezistor o‘lchamlariga
bog‘liq, ya‘ni elektronlar orasidagi masofaga bog‘liq ravishda 1-1000 V gacha tan- lanadi.
Shuni ta‘kidlash kerakki, fotorezistorlarning kattaliklari, tashqi muhit ta‘sirida o‘zgaradi. Fotorezistorlar afzalligi: yuqori sezgirligi, nurlanishning infraqizil qismida qo‘llash mumkinligi, o‘lchamlari kichikligi va doimiy tok va o‘zgaruvchan tok zanjirlarida qo‘llash mumkinligi.
|
| |
