29
yarimo‘tkazgichlarning kontakti) o‘tish va metall-yarimo‘tkaz-
gich o‘tish mavjud.
Turli tuzilishga ega bo‘lgan yarimo‘tkazgich
sathlarning
kombinatsiyasi bir tomonlama elektr o‘tkazuvchanlikka ega bo‘ladi:
u bir tomonga ikkinchi tomonga nisbatan ancha yaxshi tok o‘tkazadi.
Agar yarimo‘tkazgich bir sohasida elektron elektr o‘tkazuv-
chanlik, ikkinchi sohasida — kovak elektr o‘tkazuvchanlik mavjud
bo‘lsa, bu sohalar orasidagi
chegara elektron-kovak yoki p-n
o‘tish deb ataladi. Bunday yarimo‘tkazgich
bir jinsli bo‘lmagan
yarimo‘tkazgich deb ataladi, uning elektr o‘tkazuvchanligi esa
kuchlanish manbayiga ulanishiga bog‘liq bo‘ladi.
Agar kuchlanish manbayining musbat qutbi
p-sohaga, man-
fiy qutbi
n-sohaga ulangan bo‘lsa, tok kuchi juda katta bo‘ladi va
kuchlanish ortgan sari ortib boradi. Teskari kuchlanish berilganda
(
p-sohaga kuchlanish manbayining manfiy qutbi berilsa) tok
kuchi juda kichik bo‘ladi va kuchlanishga bog‘liq bo‘lmaydi.
Shunday qilib,
p-n o‘tish bir tomonlama o‘tkazuvchanlikka ega.
Oldingi asrning o‘rtalarida tranzistor — elektron lampa funksiya-
sini bajara oladigan yarimo‘tkazgich asbob yaratildi. Unda bir jinsli
bo‘lmagan yarimo‘tkazgich ikkita
p-n o‘tishga ega bo‘lgan.
p-n
o‘tish bir va undan kichik mikrometrga teng qalinlikka ega ekan.
Demak, tranzistor juda kichik o‘lchamlarga ega bo‘lishi mumkin.
Zamonaviy
murakkab elektron qurilmalar, masalan,
shaxsiy
kompyuterlar millionlab diod va tranzistorlardan tashkil topadi.
Ular bir vaqtning o‘zida yagona yarimo‘tkazgich kristall
sirtida
birvarakayiga tayyorlanadi. Tranzistorlarni o‘zaro
elektr ulash
yo‘li bilan integral mikrosxemalar (IMS) olinadi. IMSlar ishlab
chiqarishda kremniy juda keng qo‘llaniladi. Ba’zi hollarda galliy
arsenidi va fosfidi hamda boshqa yarimo‘tkazgich birikmalar ham
qo‘llaniladi.
