56
(Random Access Memory – RAM
, rus tilida - operativnoe zapominayuщee
ustroystvo - OZU
)
. Tezkor xotira qurilmasining ikki xili mavjud:
1.
Statik TXQ
(Static RAM - SRAM).
Bu xildagi xotira D-triggerlar asosida
quriladi. Statik TXQsida axborot, unga manba ulangan vaqt davomida saqlanadi: bu
vaqtning
davomiyligi - sekundlarga, minutlarga, soatlarga
va kunlarga ham teng
bo‘lishi mumkin. Statik TXQ juda tez ishlaydi, unga murojaat qilish vaqti bir necha
nanosekundlarga teng bo‘lishi mumkin. Shu sababli statik TXQ, ko‘pincha ikkinchi
sath kesh-xotirasi sifatida ishlatilmoqda.
58
2.15-rasm. Xotira mikrosxemalari.
4 Mbit xajmli xotirani tashkil qilishning ikki xil yo‘li.
2.
Dinamik TXQ
(Dynamic RAM - DRAM).
Bu
xildagi xotirani qurishda
triggerlar
ishlatilmaydi.
Dinamik
TXQ
tranzistorlar
va
juda
kichik
kondensatorlardan qurilgan, yacheykalar to‘plamidan iborat bo‘ladi. Kondensatorlar
zaryadlangan va zaryadlanmagan holatlarda bo‘lishi mumkin, bu hol 1 va 0 ni
saqlash imkonini beradi. Kondensatorda zaryad yo‘qolishi mumkin bo‘lganligi
sababli, bu xildagi xotirada ma’lumotlar yo‘qolib ketmasligi uchun har bir bit, vaqti-
vaqti bilan qayta zaryadlanib turishi kerak bo‘ladi. Dinamik TXQda bir bit axborotni
saqlash uchun 1-ta tranzistor va 1-ta kondensator kerak bo‘ladi. Statik TXQda esa
bir bit axborotni saqlash uchun kamida 6-ta tranzistor kerak bo‘ladi. Shuning uchun
asosiy xotira deyarli har doim dinamik TXQ asosida quriladi. Dinamik TXQ, statik
TXQga nisbatan ancha sekin ishlaydi. Dinamik TXQning bir necha xillari mavjud:
-
FPM (Fast Page Mode)
– tezkor sahifalar rejimiga ega dinamik xotira (rus
tilida - bыstrыy postranichnыy rejim);
59
-
EDO (Extended Data Output)
– ulanish
nuqtalarining imkoniyatlari
kengaytirilgan dinamik xotira – (rus tilida – pamyatь s rasshirennыmi
vozmojnostyami vыvoda);
-
DRAM, SDRAM (Synchronous RAM)
– sinxron dinamik TXQlari (rus tilida
- sinxronnoe dinamicheskoe OZU);
-
DDR (Double Data Rate)
– ma’lumotlarni ikki karra tez uzata oluvchi (rus
tilida - peredacha dannыx s dvoynoy skorostьyu).
