9
1947 yilning 23 dekabrida 3 ta amerika fiziklari:
Uilyam SHokli, Djon
Bardin va Uolter Bratteynlar hamkasblariga yangi yarim o`tkazgichli asbob –
kuchaytirgich yoki tranzistorni namoyish etishdi. U radiolampalarga nisbatan
miniatyur, arzon, mustahkam, chidamli hamda kam quvvat iste’mol qilar edi.
1956 yilda tranzistor ixtirochilari Nobel mukofotiga sazovor bo`lishgan.
Birinchi tranzistor
Uilyam SHokli, Djon Bardin va
Uolter Bratteyn
Birinchi IMSlar 1958
yilda yaratildi
Andi Grouv, Robert Noys va
Gordon Mur
1.5-rasm. IX asr mikroelektronika sohasi kashfiyotcilari
hamoyondalari
1965 yildan buyon mikroelektronikaning rivoji G.
Mur qonuniga
muvofiq bormoqda, ya’ni har ikki yilda zamonaviy
IMSlardagi elementlar
soni ikki marta ortmoqda. Hozirgi kunda elementlar soni millionta bo`lgan
o`ta katta va trillionta bo`lgan giga katta IMSlar ishlab chiqarilmoqda.
10
1970 yillarda boshlagan geterotuzilma-
larda injeksiya hodisasi,
ideal geterotuzil-
malar - arsenid alyuminiy-arsenid galliylar,
ikkilangan geterotuzilmalar
asosida yarim
o`tkazgichli lazer, birinchi bipolyar getero-
tranzistorlar va geterotuzilmalar asosida qu-
yosh batareyalarini yaratganligi uchun 2000
yilda akademik J.I.Alferov
Nobel muko-
fotiga sazovor bo`lgan. 2000 yilda Djek
Kilbi, Kremer
i Jores Alferovlar birinchi
IMS yaratganligi uchun Nobel mukofotiga
sazovor bo`lishgan (Robert Noys bu vaqtda
hayotdan ko`z yumgan edi).
