42
Oxirgi bosqichda arsinning cho’kkan molekulalari fotoionlashuvi amalga
oshiriladi, vodorod ionlari reaktordan so’rib olinadi, o’suvchi sirt o’stirilayotgan
materialning bir molekulyar qatlami bilan qoplanadi. Shundan keyin jarayonni
takrorlash mumkin va shuning bilan molekulyar qatlamlarning to’liq soni
o’stiriladi.
Atom qatlamli epitaksiyaning afzalliklari:
1.
O’stirilayotgan qatlam qalinligini absolut aniq berish imkoni;
2.
Ixtiyoriy shaklda epitaksial qatlamlarni o’stirish imkoni;
Usulning kamchiligi:
1.
Atom qatlamlarni o’stirish juda ulkan , shuning uchun o’sish tezligi
juda past (0.1 mkm/soat dan katta emas);
2.
Bu yerda atomlarning sirtiy diffuziyasini qo’llanilmaydi,
shuning
uchun epitaksial qatlam strukturaviy nuqsonlilik darajasi juda yuqori bo’ladi.
3.
Atom – qatlamli epitaksiya usuli hozirda keng qo’llanilmaydi va
faqat ayrim xususiy masalalarni yechish uchun qo’llaniladi.
4.
Gaz fazali epitaksiya (GFE) texnologiyasi (hamda uning analogi –
metal organik bog`lardan suyuq fazali epitaksiya) kam sarf bilan,
kam vaqt
ichida katta miqdorda strukturalar tayyorlash kerak bo’lganida qo’llaniladi.
Bunda uning sifatiga talab kuchli qo’yilmaydi. Yuqori sifatli epitaksial
strukturalar kerak bo’lgan hollarda ko’pincha shu talab
etiladi ham molekulyar
dastaliepitaksiya (MDE) texnologiyasi afzal bo’ladi. Shulardan kelib chiqib,
quyida epitaksial texnologiyaning eng istiqbolli variantini ko’rib chiqamiz.
