10
“Suyuq faza”dan epitaksiya qilish holida o’tqazilayotgan modda dastlab
suyuq holatda bo’ladi.
“Bug’–suyuqlik–kristall” (taglik) tizimida epitaksiya qilish holida
o’tqaziladigan modda o’zining dastlabki bug’ (gaz) holatidan oraliqdagi suyuq
holatning yupqa pardasi orqali o’tib, so’ng taglikka o’tiradi.
Yana “Qattiq faza”dan epitaksiya usuli ham mavjud. Masalan, monokristall
sirtida II-tur fazaviy o’tish hisobiga shishasimon modda kristallanishi mumkin.
Epitaksiya usulida bir vaqtda kirishmalar kiritib borilishi mumkin.
Yarimo’tkazgichni legirlashda ionlar kiritish va diffuziya usullarini birgalikda
qo’llash mumkin. Bu radiatsion rag’batlantirilgan diffuziya hodisasi kelib
chiqishiga olib keladi.
Hozirgi zamon texnologiyasida integral
mikrosxemalar va diskret
yarimo’tkazgichli asboblar ishlab chiqarishda epitaksial jarayonlar eng oldingi
o’rinni egallaydi. Epitaksial texnologiya qo’llanilishi keyingi 10-15 yil ichida
sifatli mahsulotlar ishlab chiqarishni 4-5 marta oshirib yubordi. Epitaksial
qatlamlar tuzilish jihatdan hajmiy monokristalldan ancha takomillashganligi,
ularda kirishmalami haqiqiy taqsimotiga ega bo’lishi
bilan birga, nazorat qilib
bo’lmaydigan iflosliklar kamligi bilan farq qiladi.
Odatda, yarimo’tkazgichli asboblarning aktiv sohasi plastinkaning uncha
chuqur bo’lmagan sirt mikrohajmi qismida vujudga keltiriladi. Plastinkaning
qolgan qismi esa, shu aktiv sohani ushlab turish uchun xizmat qiladi. Demak,
asbob tuzilmasi aktiv va passiv qismlardan tashkil topadi.
Passiv qism
texnologik jarayonda konstruktiv vazifani bajarib turadi, xolos. Chunki, o’ta
yupqa plastinkalar bilan ishlab chiqarish jarayonida ishlab bo’lmaydi.
Epitaksiya, umuman, yarimo’tkazgich plastinkani asbob uchun kerak bo’lmagan
passiv qism parazit qarshiligini kamaytirish yo’lini qidirish tufayli vujudga
keladi. Epitaksiya kichik omli plastinkalarda yuqori omli yarimo’tkazgichli
qatlamlarni o’stirish imkonini berdi.
1.1a-rasmda bir jinsli galliy arsenidi plastinkasida va
n
+
− n tuzilmada
tayyorlangan planar va diskret meza diodlarning kristallari ko’rsatilgan.
Bunda
11
n-epitaksial qatlam solishtirma qarshiligi bir jinsli n-GaAs plastinkasining
solishtirma qarshiligiga teng. Meza kristallar (1.1-rasm, a, I-rasm) va planar
kristallar (1.1-rasm, a, II-rasm) solishtirishlaridan kelib chiqadiki, ikkinchi holat
epitaksial tuzilmalarda (1.1-rasm, b, I-rasm va II-rasm) kristallning qalinlik
qarshiligi R kam. Shunday qilib,
n
+
− n tur epitaksial
tuzilmali diodlarning
mezaepitaksial va epitaksial-planarlarning chegara takroriyliklari yuqori bo’ladi.
Chunki,
ƒ ≈ 1/RC, bu yerda С—p–n)-o’tishning to’siq sig’imi. Epitaksiyaning
afzalliklaridan yana biri, qalinlikning qatlam bo’yicha talab darajasidagi
kirishmalar taqsimotiga ega bo’lgan legirlangan plastinkani olish imkoniyatini
berishidir. Bu esa, turli xildagi yarimo’tkazgichli
asboblar va integral
mikrosxemalarning yaratilishiga olib keldi.
