21
Taglikka kirishmalar diffuziyalanishini chegaralash uchun diffuziya
koeffitsienti kichik bo’lgan kirishmalar, masalan,
n
+
tagliklarda fosfor o’rniga
Sb va As tanlanadi.
Kirishmalar diffuziyasini chegaralashning boshqa imkoniyati bu jarayon
temperaturasini kamaytirishdir. Kremniy epitaksiyasida temperaturani 1000°C
gacha kamaytirish uchun o’stirish vaqtida taglikni ultrabinafsha nurlari bilan
nurlashdan foydalanish mumkin. Ultrabinafsha nurlanish gaz fazada
adsorbirlashgan kirishmalar ta’sirini kamaytiradi. Bu esa, kremniy taglik
atomlarining sirt bo’ylab haraktachanligiga ta’sir qiladi. Avtolegirlashni ancha
yuqori darajada chegaralash jarayon temperaturasini kamaytirish imkonini
beruvchi epitaksiyaning gidrid usulidan foydalanishdir. Bu usulda monosilan
piroliz bo’lganligi uchun uni ba’zan silanli usul deyiladi. Silanli usul silanning
termik parchalanishi qaytmas reaksiyasiga asoslangan:
𝑆𝑖𝐻
4
↔ 𝑆𝑖 ↓ 2𝐻
2
↑ (2.7)
Silan usulida epitaksial qatlamlarni o’stirish qurilmasining tuzilishi xlorid
usuliga yaqin va monosilan bilan ishlaganda ehtiyotkorlik uchun qurilma havo
va nam qoldiqlarini haydash uchun moslamalar bilan ta’minlangan bo’lishi
kerak.
Monokristall qatlamlarni 1000–1050°C temperaturalarda monosilan
parchalanishi hisobiga olinadi. Manba sifatida 4–5% li monosilandan tarkib
topuvchi aralashma va yuqori tozalikdagi 95–96% He, Ar yoki
H
2
gazidan
foydalaniladi. Jarayonni o’tkazish davrida vodorodda monosilan zichligi 0,05–
0,l% , gaz oqimi tezligi 30–50 sm/s. Shu sharoitda o’sish tezligi 0,2 dan 2 mkm
gacha o’zgaradi.
Usulning kamchiliklari monosilanning o’z-o’zidan yonishi va portlashi
bo’lganligi uchun, maxsus choralar ko’rish kerak. Shuning uchun amalda
monosilan vodorodli aralashmada qo’llaniladi. 5% monosilan aralashmasi o’z-
o’zidan yonmaydi.
