|
-rasm. Bipolyar tranzistorli rezonans kuchaytirgichning prinsipial sxemas
|
| bet | 69/125 | | Sana | 16.11.2023 | | Hajmi | 4,71 Mb. | | #99646 |
Bog'liq ENG SO\'NGGI Birinchi qism tipografiya uchun (1)11.21-rasm. Bipolyar tranzistorli rezonans kuchaytirgichning prinsipial sxemasi
Bunda yuklama konturi L induktivlik g’altagi va S o’zgaruvchan kondensatordan tashkil topgan. Sf va Sr kondensatorlar yordamchi elementlar bo’lib, ularning sig’imi o’zgaruvchan kondenstorning maksimal sig’imidan yetarlicha katta qilib olinadi. Shuning uchun tebranish konturining rezonans chastotasi L va S kontur elementlarigagina bog’liq bo’ladi. Sf va Sr kondensatorlar S o’zgaruvchan kondensatorning qoplamalariga o’zgarmas kuchlanish ta’sir etmasligini ta’minlaydi.
Ko’pincha yuqori chastotali kuchaytirgichlarni o’rganishda tranzistorning U - parametrlaridan foydalanish qulay. Umumiy emitterli ulanish sxemasida U11 U12 va U22 parametrlarning reaktivligi sig’im tabiatiga, U21 parametrning reaktivligi esa, induktiv (manfiy sig’im) tabiatga esa:
(g11, g12, g21, g22, va S11, S 22, S 21, S12, -kattaliklarning qiymatlari maxsus kitoblarda keltirilgan bo’ladi). Bu holga tranzistorning 11.22-rasmda ko’rsatilgan P - simon ekvivalent sxemasi mos keladi.
11.22- rasm. Tranzistornining P-simon ekvivalent sxemasi
(Unda ichki teskari bog’lanish hisobga olinmagan). Bunga ko’ra kuchaytirgichning to’liq ekvivalent sxemasi 11.23a-rasm ko’rinishda bo’ladi.
11.23- rasm. Rezonans kuchaytirgichning ekvivalent sxemasi: a - to’liq, b- keltirilgan, v - soddalashtirilgan
Undagi «‘» ko’rsatkich kuchaytirgichning boshqaruvchi elementiga tegishli kattalikni, «"» ko’rsatkich keyingi kaskadning tranzistoriga tegishli kattaliklarni ifodalaydi. (Sxemada kuchaytirgichning kollektorini va keyingi kaskadning bazasini manba bilan ta’minlash zanjirlari elementlarining o’tkazuvchanliklari hisobga olinmagan).
Agar ekvivalent tok generatorini, tranzistorning chiqish o’tkazuvchanligini va keyingi kaskadtranzistorining kirish o’tkazuvchanligini, R1 va R2 transformatsiya koeffitsientlarinn hisobga olgan holda tebranish konturining ulanish nuqtalariga keltirilsa, ekvivalent sxema 11.21b-rasmda tasvirlangan sxema ko’rinishini oladi. Unda g’22·P12 va S’22·P12-kuchaytirgich boshqaruvchi elementining keltirilgan U’gg- Pi2 chiqnsh o’tkazuvchanligining tashkil etuvchilari bo’lsa, g"22·P22 va S"22·P22-keyipgi kaskad boshqaruvchi elementining keltirilgan U11"·r22 kirish o’tkazuvchanligining tashkil etuvchilaridir. Sxemadagi barcha elementlar parallel ulangan bo’lgani uchun mos elementlarni birlashtirib, sxemani yanada soddalashtirish mumkin (11.23 v-rasm):
(11.22)
Hosil bo’lgan sxema parallel tebranish konturidan iborat bo’lib, uning parametrlari ham konturning, ham kuchaytirgich chiqish zanjirining, ham tashqi yuklama (keyingi kaskadning kirish zanjiri) ning parametrlari orqali ifodalanadi. Shuning uchun kuchaytirgichning chastotaviy xarakteristikasi tebranish konturining rezonans chizig’iga o’xshash bo’ladn.
Kuchaytirgichning chiqish kuchlanishi konturdagi kuchlanish tushuvining R2 qismini tashkil qiladi: konturning kuchlanishi esa, son jihatdan, tok geperatorining elektr yurituvchi kuchlanish konturning to’liq qarshiligiga ko’paytmasiga teng, ya’ni
ning kattaligi (11.23) ifoda orqali aniqlanadi. Shunga ko’ra
( 11.23)
konturning umumlashgan buzilishi desak, kuchaytirish koeffisienti quyidagicha ifodalanadi:
(11.24)
Rezonans vaqtida konturning umumlashgan buzilishi nolga teng (X = 0) bo’lgani uchun (11.24) ifodaning moduli kuchaytirish koeffitsientining eng katta qiymatini ifodalaydi:
(11.25)
Agar kuchaytiruvchi element vazifasini unipolyar tranzistor bajarsa, bo’ladi. Shuning uchun (11.25) ifoda kontur to’liq ulangan holda (P1 =R2=1)juda sodda ko’rinishga keladi:
Kr = SZe (11.26)
11.22-rasmda kuchaytirgichning normallashgan chastotaviy xarakteristikasi ko’rsatilgan (punktir chiziq xolis olingan tebranish konturining rezonans chizig’idir).
|
| |
