|
Toshkent davlat transport universiteti
|
| bet | 66/125 | | Sana | 16.11.2023 | | Hajmi | 4,71 Mb. | | #99646 |
Bog'liq ENG SO\'NGGI Birinchi qism tipografiya uchun (1)11.15-rasm.Tranzistorning P - simon ekvivalent sxemasi
Umumiy holda U - parametrlar kompleks kattalik bo’lib, (11.2) tenglamalar orqali aniqlanadi.
Lekin kuchaytirgichda kuchaytiriladigan signal past chastotalbo’lsa, uning mavhum qismini hisobga olmasak,, ya’ni deb hisoblasak, kuchaytirgichning ekvivalent sxemasi sodda holga keladi va 11.13a-rasm ko’rinnshida tasvirlanadi.
11.16-rasm. Bipolyar trapzistorli RC-kuchaytirgichning to’liq (a) va soddalashtirilgan (b) ekvivalent sxemasi
Unda -ekvivalent tok generatori.
R22- tranzistorning chiqish qarshiligi.
- siljish zanjiriniig ekvivalent qarshiligi,
Sm - konturning zararli sig’imi.
Ske - kollektor-emitter oralig’ining sig’imi. Ckir.2 - keyingi kuchaytirish kaskadining kirish sig’imi
Agar ajratuvchi kondensatorning sig’imi sxemada qatnashadigan zararli sig’imdan yetarlicha katta bo’lishini hisobga olsak, ularni parallel ulangan deb birlashtirish mumkin:
S0 = Sm+Ske+Skir.2
Bundan tashqari, Rkir.2 va qarshiliklarni
deb birlashtirilsa, sxema 11.13b-rasmdagi kabi sodda ko’rinishga keladi.
Unipolyar tranzistorli RC - kuchaytirgichning ekvivalent sxemasi 11.17-rasmda ko’rsatilgan.
11.17-rasm. Unipolyar tranzistorli RC - kuchaytirgichning ekvivalent sxemasi
Unda ham ajratuvchi kondensatorniig sig’imi zararli Sm, Ssn, Skir.2 sig’imlardan yetarlicha katta bo’lganligi uchun S0=Sm+Ssi+Skir. va soddalashtirish kiritilgan.
11.16 b va11.17-rasmlarda ko’rsatilgan ekvivalent sxemalar tuzilishi jihatdan bir xildir. Shuning uchun ularning uzatish koeffitsientlarining umumiy ko’rinishi xam bir xil bo’ladi. Uni Kirxgof tenglamalarini yechish yoki ekvivalent generator qoidasini qo’llash yo’li bilan hisoblash mumkin. U quyidagi ko’rinishga ega:
(11.10)
Unda,
τv=C0·Rekv-chiqish (kollektor, stok) zanjirining vaqt doimiysi.
τn = CRn - o’tish zanjirining vaqt doimiysi. -bipolyar tranzistorli sxema uchun:
(11.10a)
- unipolyar tranzistorli sxema uchun:
(11.10b)
Odatda, barcha sxemalar uchun S>>S0 va Rn>>Rekv tengsizlik o’rnnli bo’lgani uchun a 1 deb olinadi.
(11.10) ifodaning moduli kuchaytirgichning chastotaviy xarakteristikasini, argumenti esa, uning fazaviy xarakteristikasini ifodalaydi:
(11.11)
Ularning grafiklari 11.18-rasmda ko’rsatilgan.
|
| |
