U. U. Iskandarov, O. S. Rayimdjanova, M. A. Akbarova, S. J. Yo‘lchiboyeva




Download 2,84 Mb.
Pdf ko'rish
bet8/61
Sana04.12.2023
Hajmi2,84 Mb.
#110820
1   ...   4   5   6   7   8   9   10   11   ...   61
Bog'liq
elektronika

1.2. Yarimo‘tkazgich materiallar.
Yarim o’tkazgichlar elektronikasida asosiy va eng kerakli elementlardan biri bu qattiq 
jismdan tayyorlanadigan electron asbob - t r a n z i s t o r deyish mumkin.Tranzistor ikkita 
elektron-kovak –n-p o’tishga ega bo’lib, uchta yoki undan ko’p chiqish nuqtalariga ega. 
Uning asosiy vazifalariga elektr signallarni kuchaytirish, iste’mol manbasi energiyasini 


elektroomagnit tebranish energiyaisga aylantirish (generatsiyalash), tezda uzib – ulash 
(kommutatsiya) va boshqalar kiradi. Hozirda tranzistorlar tezkor hisoblash mashinalarining,
deyarli barcha aloqa vositalarining va maishiy elektron apparaturalarining asosisni tashkil 
etadi. Bipolyar tranzistor 1947 yili ixtiro qilingan. Uni Bell companiyasi mutaxasislari fizik 
olimlari V.B.Shokli, D. Bardin, U.Braytenlar yaratishdi.
1.2.1- rasm. Birinchi yaratilgan transistor. 
Yuqorida aytganimizdek bipolyar tranzistor ikkita bir – biriga juda yaqin joylashgan 
n

o’tishdan iborat tayyorlangan pribor. O’zining strukturasiga ko’ra tranzistorlar 
n
p
n


yoki 
p
n
p


tipda tayyorlanadi. Misol tariqasida 
n
p
n


tipdagi tranzistorlarning ishlash 
printsipi bilan tanishamiz. Uning strukturasi va energetik diagrammasi 7. 1 rasmda 
tasvirlangan.


1.2.2- rasm. 
n
p
n


strukturaning energetik diagrammasi 
Tranzistorning markaziy sohasi asos (baza) – B, unga yondoshgan ikki tomondagi 
sohalar esa emitter – E va kollektor – K deb nomlanadi. Emitter degan nom, injektorlash, 
zaryad tashuvchilarni nurlatish, kollektor degan nom esa zaryad tashuvchilarni yig’ish degan 
ma’nolarni beradi. 
Tranzistorlarning umumiy baza bilan ulangan sxemasidagi ish jarayonini o’rganamiz. 
Iste’mol manbalarini ulash sxemasi va zaryad tashuvchilarni siljitish manbasi bo’lgandagi 
n
p
n


strukturaning energetik diagrammasi 1.1.2 – rasmda tasvirlangan. 
1.2.3-rasm. Elektronlarning o’tishi 


Emitter bilan baza orasiga ulangan manba emitter iste’mol manbasi -
э
V
va bu soha 
emitter o’tish, baza bilan kollektor orasiga ulangan manba kollektor iste’mol manbasi 
k
V

va 
bu soha kollektor o’tish deb nomlanadi. Emitter o’tishga to’g’ri ulangan siljitish kuchlanishi, 
kollektor o’tishga esa teskari ulangan siljitish kuchlanishi beramiz. Bu holda elektronlar 
emitter sohadan, tashqi potentsial ta’sirida pasaygan emitter o’tishning potentsial to’sig’i 
orqali, baza sohasiga o’tadi. Ushbu elektronlarning o’tishi 1.2.3.a – rasmda 
1
strelka bilan 
ko’rsatilgan. Oddiy dioddagidek emitter iste’mol manbasi - 
э
V
kuchlanishining hammasi 
emitter o’tishdagi xajmiy zaryadlar to’plangan sohaga, kollektor iste’mol manbasi - 
k
V
kuchlanishi kollektor o’tish va yuklama (nagruzka) qarshilikka 
H
R
tushadi. SHunday qilib, 
baza sohada elektr maydon mavjud emas, shuning uchun emitter o’tishdan injektirlangan 
elektronlar baza sohadan difziyalanib, kollektor sohaga yetib boradi deymiz. Maydon 
ta’sirida harakatlanishni dreyflanish deb atalishini eslatib o’tamiz. Demak, emitter va 
kollektor o’tishlardagi harakat dreyf harakat deyiladi. Emitterdagi elektronlar 
kontsentratsiyasi muvozanat holatdagi kontsentratsiyaga nisbatan 
( )


kT
eV
э
/
exp
marta ko’p, 
manbasi teskari ulangan kollektor sohada esa elektronlar deyarli yo’q. Agar bazaning 

qalinligi 
diffuzion 
L
uzunlikdan kichik bo’lsa, elektron kollektor sohaga 
rekombinatsiyalashmasdan yetib boradi.
Elektron issiqlik xaotik harakat tufayli kollektor o’tishning xajmiy zaryadlar sohasiga 
yetib borsa, tashqi elektr maydon uni kollektorga so’rib oladi. Elektronlarning ushbu 
harakatiga mos holat 1.2.3.a – rasmda 1 strelka bilan tasvirlangan. SHunday qilib, 
tranzistorlarning emitter o’tishdagi elektron toki 

I
bazaga ulangan chiqish nuqtasi orqali 
emas balki, kollektor chiqish va yuklama qarshilik 
H
R
orqali oqadi. Tranzitorlarning 
geometrik tuzilishi shunday tanlanadiki, bunda kamroq elektron oqimi baza zanjiriga 
tarmoqlansin. Elektronlarning ushbu harakatiga xos holat 1.2.3.a – rasmda 2 strelka bilan 
ko’rsatilgan. Tranzistorni umumiy baza bilan ulanish sxemasidagi ish jarayonida, chiqish 
zanjirining yuklama 
H
R
qarshiligidan kirishdagi
вх
V
kuchlanishga nisbatan kuchaytirilgan 
chiqish 
вых
V
kuchlanishi olinadi. Misol uchun, emitter zanjirida kuchlanish o’zgaruvchan 


bo’lib, 
мВ
е
кТ
25
/ 
qiymatga teng bo’lsa, undagi tok 
73
,
2

е
martaga ortadi. Bu tok yuklama 
H
R
qarshilik orqali ham oqadi, chunki bazaga juda kam qismi tarmoqlanadi. Agar 
H
R
yetarli 
darajada katta tanlangan bo’lsa, unda katta miqdordagi chiqish 
вых
V
kuchlanish tushuvchi 
bo’ladi. Tabiiyki, agar qo’shimcha berilgan tok o’zgaruvchan bo’lsa, uning quvvati ortadi. 
SHuni ta’kidlash kerakki, kollektor o’tish teskariligicha qolishi uchun kollektor manba 
kuchlanishi yetarlicha katta bo’lishi kerak. 

Download 2,84 Mb.
1   ...   4   5   6   7   8   9   10   11   ...   61




Download 2,84 Mb.
Pdf ko'rish

Bosh sahifa
Aloqalar

    Bosh sahifa



U. U. Iskandarov, O. S. Rayimdjanova, M. A. Akbarova, S. J. Yo‘lchiboyeva

Download 2,84 Mb.
Pdf ko'rish