elektroomagnit tebranish energiyaisga aylantirish (generatsiyalash), tezda uzib – ulash
(kommutatsiya) va boshqalar kiradi. Hozirda tranzistorlar tezkor hisoblash mashinalarining,
deyarli barcha aloqa vositalarining va maishiy elektron apparaturalarining asosisni tashkil
etadi. Bipolyar tranzistor 1947 yili ixtiro qilingan. Uni Bell companiyasi mutaxasislari fizik
olimlari V.B.Shokli, D. Bardin, U.Braytenlar yaratishdi.
1.2.1- rasm. Birinchi yaratilgan transistor.
Yuqorida aytganimizdek bipolyar tranzistor ikkita bir – biriga
juda yaqin joylashgan
n
p −
o’tishdan iborat tayyorlangan pribor. O’zining strukturasiga ko’ra tranzistorlar
n
p
n
−
−
yoki
p
n
p
−
−
tipda tayyorlanadi. Misol tariqasida
n
p
n
−
−
tipdagi tranzistorlarning ishlash
printsipi bilan tanishamiz. Uning strukturasi va energetik diagrammasi 7. 1 rasmda
tasvirlangan.
Emitter bilan baza orasiga ulangan manba emitter iste’mol
manbasi -
э
V
va bu soha
emitter o’tish, baza bilan kollektor orasiga ulangan manba kollektor iste’mol manbasi
k
V
−
va
bu soha kollektor o’tish deb nomlanadi. Emitter o’tishga to’g’ri ulangan siljitish kuchlanishi,
kollektor o’tishga esa teskari ulangan siljitish kuchlanishi beramiz. Bu holda elektronlar
emitter sohadan, tashqi potentsial ta’sirida pasaygan emitter o’tishning potentsial to’sig’i
orqali, baza sohasiga o’tadi. Ushbu elektronlarning o’tishi 1.2.3.a – rasmda
1
strelka bilan
ko’rsatilgan. Oddiy dioddagidek emitter iste’mol manbasi -
э
V
kuchlanishining
hammasi
emitter o’tishdagi xajmiy zaryadlar to’plangan sohaga, kollektor iste’mol manbasi -
k
V
kuchlanishi kollektor o’tish va yuklama (nagruzka) qarshilikka
H
R
tushadi. SHunday qilib,
baza sohada elektr maydon mavjud emas, shuning uchun emitter o’tishdan injektirlangan
elektronlar
baza sohadan difziyalanib, kollektor sohaga yetib boradi deymiz. Maydon
ta’sirida harakatlanishni dreyflanish deb atalishini eslatib o’tamiz. Demak, emitter va
kollektor o’tishlardagi harakat dreyf harakat deyiladi. Emitterdagi elektronlar
kontsentratsiyasi muvozanat holatdagi kontsentratsiyaga nisbatan
( )
kT
eV
э
/
exp
marta ko’p,
manbasi teskari ulangan kollektor sohada esa elektronlar deyarli yo’q. Agar bazaning
qalinligi
diffuzion
L
uzunlikdan kichik bo’lsa,
elektron kollektor sohaga
rekombinatsiyalashmasdan yetib boradi.
Elektron issiqlik xaotik harakat tufayli kollektor o’tishning xajmiy zaryadlar sohasiga
yetib borsa, tashqi elektr maydon uni kollektorga so’rib oladi. Elektronlarning ushbu
harakatiga mos holat 1.2.3.a – rasmda 1 strelka bilan tasvirlangan. SHunday qilib,
tranzistorlarning emitter o’tishdagi elektron toki
nэ
I
bazaga ulangan chiqish nuqtasi orqali
emas balki, kollektor chiqish
va yuklama qarshilik
H
R
orqali oqadi. Tranzitorlarning
geometrik tuzilishi shunday tanlanadiki, bunda kamroq elektron oqimi baza zanjiriga
tarmoqlansin. Elektronlarning ushbu harakatiga xos holat 1.2.3.a – rasmda 2 strelka bilan
ko’rsatilgan. Tranzistorni umumiy baza bilan ulanish sxemasidagi ish jarayonida,
chiqish
zanjirining yuklama
H
R
qarshiligidan kirishdagi
вх
V
kuchlanishga nisbatan kuchaytirilgan
chiqish
вых
V
kuchlanishi olinadi. Misol uchun, emitter zanjirida kuchlanish o’zgaruvchan
bo’lib,
мВ
е
кТ
25
/
qiymatga teng bo’lsa, undagi tok
73
,
2
е
martaga ortadi. Bu tok yuklama
H
R
qarshilik orqali ham oqadi, chunki bazaga juda kam qismi tarmoqlanadi. Agar
H
R
yetarli
darajada katta tanlangan bo’lsa, unda katta miqdordagi chiqish
вых
V
kuchlanish
tushuvchi
bo’ladi. Tabiiyki, agar qo’shimcha berilgan tok o’zgaruvchan bo’lsa, uning quvvati ortadi.
SHuni ta’kidlash kerakki, kollektor o’tish teskariligicha qolishi uchun kollektor manba
kuchlanishi yetarlicha katta bo’lishi kerak.
