• F. Texnologik jarayonni boshqarish sistemasi
  • MDE ning texnologik jarayoni
  • A. Tagliklar yasash va tayyorlash
  • E. Nazorat va analiz asboblari




    Download 133,65 Kb.
    bet20/24
    Sana17.01.2024
    Hajmi133,65 Kb.
    #139533
    1   ...   16   17   18   19   20   21   22   23   24
    Bog'liq
    Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi-fayllar.org

    E. Nazorat va analiz asboblari: 
    Bu asboblar vazifasi – texnologik parametrlarni (o’suvchi kameradagi
    atmosfera bosimi, tarkibi, manba va taglik, molekulyar dastalar zichliklari
    nisbati) nazorat qilishdan va texnologik jarayon davomidagi o’suvchi sirtning
    holatini analiz qilishdan iboratdir. Nazorat qurilmasi sifatida vakuummetrlar va
    termojuftliklar, mass-spektrometr va tez elektronlar difraktometri kabi ko’p
    funksiyali asboblar kiradi.
    F. Texnologik jarayonni boshqarish sistemasi:
    Sistema real vaqtda texnologik jarayonlar asosiy parametrlarini berish va
    nazorat qilish uchun mo’ljallangan. Bunday parametrlarga molekulyar manbalar



    47
    va taglik temperaturasi va manbada tiqinni ochish va yopish vaqti kiradi.


    Sistema ishining asosiy tartibi – avtomatik bo’lib, unda o’sishning butun
    texnologik
    jarayoni
    shaxsiy
    kompyuter
    bilan
    dasturiy
    boshqariladi.
    Tayyorlangan o’sish oldi ishlari uchun mos parametrlarni qo’l bilan va yarim
    avtomatik tarzda boshqarish ko’zda tutilgan. Shaxsiy kompyuter bilan birga
    boshqaruv sistemasiga periferiy mikroprotsessor qurilma, qizdirgichning
    iste`mol bloki, tiqinlar kiradi.
    MDE ning texnologik jarayoni:
    Molekulyar dastali epitaksiya jarayoni asosiy o’stiruvchi muolaja bilan
    birga qator tayyorlangan muolajalarni o’z ichiga olib, ularsiz yuqori sifatli
    epitaksial strukturalar olish mumkin bo’lmaydi. Bu muolajalarga eng avvalo
    tagliklarni o’stirishdan oldingi tayyorlash va o’stiruvchi modulni tayyorlashlar
    kiradi. Quyida bu muolajalar xususiyatlari qisqa ko’rib chiqiladi:
    A. Tagliklar yasash va tayyorlash: 
    Taglik katta monokristaldan kesib olingan GaAS plastinkasidan iboratdir.
    Plastinkalarning standart qalinligi 0.4-0.6 mm, diametri 25-60 mmdir.
    Plastinkalar, qoidaga ko’ra kristolografik tekislikka parallel qilib kesib olinadi,
    biroq ayrim hollarda bu tekislikdan 1-3
    0
    ga og`ishga yo’l qo’yiladi.
    Plastinkaning o’stiruvchi sirti tekislanib, yuqori optik sifatga ega bo’lguniga
    qadar sayqallanadi (ya`ni, yaxshi ko’zgu sirtni namoyon etadi), shundan keyin
    kimyoviy ishlov beriladi. Ishlov berishdan ikki maqsad ko’zlanadi: ifloslanishni
    yo’qotish va sirt sifatini yaxshilash. Ishlov berish ikki bosqichdan iborat:
    1.
    Moylardan xalos qilish (organik ifloslanishni yo’qotish);
    2.
    Nooraganik ifloslanishni yo’qotish va taglik sirtini tekislovchi
    yedirish;
    Moylardan xalos qilish organik erituvchilar: atseton, toluol, propil spirtida
    qaynatish bilan amalga oshiriladi.
    Yediruvchi tarkibi: xH
    2
    SO
    4
    +H
    2
    O
    2
    +H
    2
    O. X kattalik: 4olinadi. Ishlov berishning har bir bosqichidan keyin taglik bidistillirlangan suv
    oqimida yuviladi. Yedirishdan keying oxirgi yuvish taglik sirtida himoya



    48
    vazifasini bajaruvchi oksid plenka hosil bo’lishi bilan kuzatiladi. Shundan keyin


    atseton bug`ida yoki tsentrifugada quritiladi. Toza taglik tashuvchida qotiriladi
    va o’suvchi qurilmaga yuklanadi.

    Download 133,65 Kb.
    1   ...   16   17   18   19   20   21   22   23   24




    Download 133,65 Kb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    E. Nazorat va analiz asboblari

    Download 133,65 Kb.