49
keladi. Bunday temperaturagacha qizdirishda sirtdan As atomlarining intensiv
bug`lanishi boshlanib, o’suvchi sirtda metal Ga tomchilarining (galliyli
stabilizatsiya) hosil bo’lishiga olib kelishi mumkin.
Ga stabillashgan sirt
epitaksial o’sish uchun yaroqsiz va shuning uchun stabilizatsiyaning oldini olish
uchun oksidni haydashni ortiqcha As sharoitida olib borish kerak. Shunga
muvofiq, oksid haydash oldidan As manbani ishchi temperaturaviy tartibga olib
chiqish va manbadagi tiqinni ochish kerak. Atmosferaviy strukturaga ega oksid
bug`lanishida taglikning kristall strukturaga ega erkin sirti ochiladi. Shuning
uchun oksidni haydash vaqti ekranda taglikning kristall qatlamidan DBE
difraksion reflekslarining hosil bo’lishi bilan DBE yordamida belgilanadi.
3. GaAs ning tayyorlov qatlamini o’stirish. Bundan oldin Ga manbai va
taglik orientrlangan ishchi temperaturagacha qizdiriladi. O’stirish 5-10
minut
davomida olib boriladi. Bu bosqichning vazifasi – DBE ekranida yaxshi
difraksion manzarani beruvchi silliq, o’stiruvchi sirtni olishdan iboratdir.
4. Taglik temperaturasini kalibrlash. Bu bosqichning zaruriyati
manipulyatordagi termojuftlik taglik bilan to’g`ri kontaktda emasligi va uning
ko’rsatkichlari
bo’yicha
aniqlangan
temperatura
taglikning
haqiqiy
temperaturasidan ancha farq qilishiga bog`liq. Kalibrlash uchun GaAs sirtida
ortiqcha As atomlarining konfiguratsiyalari rekonstruksiyasiga
mos keluvchi
alohida temperaturaviy nuqtalarning mavjudligidan foydalaniladi. Har bir
konfiguratsiya ikkinchi tartibli kristallografik o’qlarga parallel yo’nalishdagi
xarakterli davriyligiga ega bo’lib bu davriylikning o’zgarishi difraksiya
manzarasi bo’yicha belgilanadi. Olingan nuqtalar bo’yicha termojuftlik
ko’rsatkichini o’suvchi sirtning real temperaturasi bilan bir qiymatli bog`lovchi
kalibrovka egri chizig`i chiziladi.
5. O’sish tezligi kalibrovkasi. Kalibrovka DBE ekranida ko’zguli refleks
intensivligining o’zgarishi bo’yicha amalga oshiriladi.
Atomar silliq sirtda
qaytishda refleks intensivligi maksimal qiymatga ega bo’ladi. O’sish jarayonida
sirtda keyingi molekulyar qatlam qirralari hosil bo’ladi va u refleks
intensivligining kamayishiga olib keladi. Molekulyar qatlamning to’ldirilishi
50
bo’yicha intensivlik tiklana boshlaydi va qatlam to’liq to’lganida maksimal
qiymatga yetadi. Shunday qilib, epitaksial o’sish jarayoni refleks intensivligi
ostillyatsiyasi
bilan boradi, bunda ostillyatsiya davri bitta molekulyar qatlamni
o’stirish davriga mos keladi. Ostillyatsiya manzarasidan foydalangan holda
molekulyar manbalar temperaturalarining talab etilgan teshiklarga mos keluvchi
qiymatini aniqrog`i, termojuftlik ko’rsatkichini aniqlash mumkin.
6. Dasturning vazifasi va o’sish jarayonini avtomatik tartibda ishga
tushirish. Dasturda manipulyator va molekulyar manbalar termojuftliklari
ko’rsatkichlarining vaqtning har bir momentidagi
va mos tiqinlarni ochish va
yopish momentlaridagi qiymatlari beriladi.
Yuqori kristall mukammalikka ega geterostrukturalar olish uchun asosiy
strukturaning o’sishidan oldin qator tayyorlov qatlamlarini o’stirish zarurdir.
Odatda ikki tur qatlamli kombinatsiya qo’llaniladi:
1.
Ga As bufer qatlami. Bufer qatlam 0.5 - 1 mkm qalinlikka ega va u
asosiy strukturaga nuqtaviy nuqsonlar va taglikdan kirishmalar tushishi oldini
oladi.
2.
Qisqa davrli GaAs/AlAs o’ta panjara. O’ta panajara navbatma-
navbat keluvchi yupqa GaAS va AlAs qatlamidan shakllanadi. Bu materiallarda
panjara doimiysining mos kelmasligidan geterochegaralarda taglikdan asosiy
strukturaga chiziqiy nuqsonlar – dislokatsiyalarning o’sishiga qarshilik qiluvchi
mexanik kuchlanish yuzaga keladi. O’sish dasturi tugaganidan keyin o’suvchi
modul avtomatik tarzda navbatchi tartibga o’tkaziladi
va shundan keyin sekin
sirqitiladi.
