Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi

Hozirgi zamon texnologiyasida o’ta yuqori integral mikrosxemalar va
diskret yarimo’tkazgich asboblar ishlab chiqarishda epitaksial jarayonlar eng
oldingi o‘rinni egallaydi. Epitaksial texnologiya qo’llanilishi keyingi 10-15
yil ichida sifatli mahsulotlar ishlab chiqarishni 4-5 marta oshdi.
Epitaksial qatlamlar tuzilish jihatdan hajmiy monokristalldan ancha
takomillashganligi, ularda kirishmalarni haqiqiy taqsimotiga ega bo’lishi
bilan birga, nazorat qilib bo’lmaydigan nuqsonlar va begona kirishmalar
kamligi bilan farq qiladi.
Hajmiy kristalning o’sishida (masalan, eritmadan) asosiy muammo
shundaki, bu minimum chuqurligi zarraga regulyar panjarada kerakli joyga yetib
olishi uchun zarur bo’lgan kinetik energiyaga mos kelar ekan. Buning natijasida,
kristallar ko’p miqdorli nuqsonlar (bo’sh o’rinlar, molekulalar orasida atomlar,
dislokatsiyalar va h.k) bilan o’sadi. Bundan tashqari, hajmiy o’sish bir necha
yo’nalish bilan bir vaqtda yuz berib, buning natijasida kristallar ko’pincha blokli
bo’ladilar. Nuqsonlarning qo’shimcha manbalari kristalga shixtadan va
o’stiruvchi qurilma konstruksiyasi elementlaridan tushuvchi begona
kirishmalardir.
Yarimo’tkazgichli epitaksial geterostrukturalar tez elektr va optik
dinamikasi bilan xarakterlanib, u yuqori tezlikli elektron va hisoblash
qurilmalarini yaratish uchun o’ta muhim bo’lib hisoblanadi.
Elektronikada epitaksial strukturalarni qo’llashga yuqori tezlikli maydon
tranzistori misol bo’la oladi. Bunday tranzistorlarda tok epitaksial qatlam
tekisligida oqadi va tranzistorning qayta ulanishi chegaraviy chastotasi tokning
oqish tezligi bilan, ya`ni tashuvchilar siljuvchanligi bilan aniqlanadi. Yuqorida
qayd etilganidek, zamonaviy epitaksial texnologiya juda past konsentratsiyali
nuqsonga ega qatlamlar o’stirish imkonini berib, ular harakatlanuvchi
tashuvchilarni socha oladi. Bunda sochuvchining asosiy rolini tashuvchilarni
qatlamga o’tkazuvchi ligerlovchi kirishma o’ynay boshlaydi.