• Tezkor va doimiy xotira qurilmalari.
  • НЕ-ИЛИ ilgagi 0 xolatda ( a );  НЕ-ИЛИ




    Download 9,61 Mb.
    Pdf ko'rish
    bet29/66
    Sana24.05.2024
    Hajmi9,61 Mb.
    #252597
    1   ...   25   26   27   28   29   30   31   32   ...   66
    Bog'liq
    3.-Z.Z.MiryusupovJ.X.Djumanov.Kompyuterarxitekturasi 2017

    НЕ-ИЛИ
    ilgagi 0 xolatda (
    a
    ); 
    НЕ-ИЛИ
    ilgagi 1 
    xolatda (
    б
    ); 
    НЕ-ИЛИ
    funksiyasining haqiqat jadvali (
    в
    ). 
    2.10-rasm. Sinxron SR va D-ilgaklar. 
    2.11-rasm. D-trigger. 2.12-rasm. D-ilgaklar va D-triggerlar. 


    57 
    2.13-rasm. 8-razryadli registr (mikrosxemasi). 
    Tezkor va doimiy xotira qurilmalari. 
    Ko‘rib chiqilgan xotiralarning 
    barcha xillari bitta umumiy xususiyatga ega: ularda axborotni ham yozish, 
    ham o‘qish ikoniyatlarini mavjud. Bunday xotira 
    tezkor xotira qurilmasi 
    (TXQ)
    deb ataladi 
    (Random Access Memory – RAM
    , rus tilida -
    оперативное запоминающее устройство - ОЗУ
    )
    . Tezkor xotira 
    qurilmasining ikki xili mavjud: 
    1.Statik TXQ 
    (Static RAM - SRAM).
    Bu xildagi xotira D-triggerlar 
    asosida quriladi. Statik TXQsida axborot, unga manba ulangan vaqt 
    davomida saqlanadi: bu vaqtning davomiyligi - sekundlarga, minutlarga, 
    soatlarga va kunlarga ham teng bo‘lishi mumkin. Statik TXQ juda tez 
    ishlaydi, unga murojaat qilish vaqti bir necha nanosekundlarga teng 
    bo‘lishi mumkin. Shu sababli statik TXQ, ko‘pincha ikkinchi sath kesh-
    xotirasi sifatida ishlatilmoqda.
    2.Dinamik TXQ 
    (Dynamic RAM - DRAM).
    Bu xildagi xotirani 
    qurishda triggerlar ishlatilmaydi. Dinamik TXQ tranzistorlar va juda kichik 
    kondensatorlardan qurilgan, yacheykalar to‘plamidan iborat bo‘ladi. 
    Kondensatorlar zaryadlangan va zaryadlanmagan holatlarda bo‘lishi 
    mumkin, bu hol 1 va 0 ni saqlash imkonini beradi. Kondensatorda zaryad 
    yo‘qolishi mumkin bo‘lganligi sababli, bu xildagi xotirada ma’lumotlar 
    yo‘qolib ketmasligi uchun har bir bit, vaqti-vaqti bilan qayta zaryadlanib 


    58 
    turishi kerak bo‘ladi. Dinamik TXQda bir bit axborotni saqlash uchun 1-ta 
    tranzistor va 1-ta kondensator kerak bo‘ladi. 
    2.14-rasm. 4-ta 3 razryadli so‘zni saqlay oladigan xotiraning
    mantiqiy blok-sxemasi. 


    59 
    2.15-rasm. Xotira mikrosxemalari.
    4 Mbit xajmli xotirani tashkil qilishning ikki xil yo‘li. 
    Statik TXQda esa bir bit axborotni saqlash uchun kamida 6-ta 
    tranzistor kerak bo‘ladi. Shuning uchun asosiy xotira deyarli har doim 
    dinamik TXQ asosida quriladi. Dinamik TXQ, statik TXQga nisbatan 
    ancha sekin ishlaydi. Dinamik TXQning bir necha xillari mavjud:

    FPM (Fast Page Mode)
    – tezkor sahifalar rejimiga ega dinamik 
    xotira (rus tilida - быстрый постраничный режим); 

    EDO (Extended Data Output)
    – ulanish nuqtalarining imkoniyatlari 
    kengaytirilgan dinamik xotira – (rus tilida – память с расширенными 
    возможностями вывода); 

    DRAM, SDRAM (Synchronous RAM)
    – sinxron dinamik TXQlari 
    (rus tilida - синхронное динамическое ОЗУ); 

    DDR (Double Data Rate)
    – ma’lumotlarni ikki karra tez uzata 
    oluvchi (rus tilida - передача данных с двойной скоростью).


    60 

    Download 9,61 Mb.
    1   ...   25   26   27   28   29   30   31   32   ...   66




    Download 9,61 Mb.
    Pdf ko'rish

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    НЕ-ИЛИ ilgagi 0 xolatda ( a );  НЕ-ИЛИ

    Download 9,61 Mb.
    Pdf ko'rish