43
Fotorezistor – yarim o‘tkazgich fotoelektr asbob bo‘lib, bunda foto
o‘tkazuvchanlik hodisasi qo‘llaniladi, ya’ni optik nurlanish ta’sirida
yarim
o‘tkazgichni elektr o‘tkazuvchanligi o‘zgaradi. Fotorezistorning tuzilishi quyidagi
rasmda ko‘rsatilgan.
2.24. rasm. Fotorezistorning tuzilishi (a) va ulanish sxemasi (b):
1-plyonka yoki plastik 2-dielektr material.
Asosiy kattaliklari:
ф
I
S
ф
i
,
(2.26)
Qorong‘ulik qarshiligi – yoritilmagan fotorezistorlarning qarshiligi qiymati
teng diapazonga ega R
k
=10
2
10
9
Om;
Ishchi kuchlanishi – ishchi kuchlanish qiymati fotorezistor o‘lchamlariga
bog‘liq, ya’ni elektronlar orasidagi masofaga bog‘liq raviщda 1-1000
V gacha
tanlanadi.
Shuni ta’kidlash kerakki, fotorezistorlarning kattaliklari, tashqi muhit ta’sirida
o‘zgaradi. Fotorezistorlar afzalligi: yuqori sezgirligi,
nurlanishning infraqizil
qismida qo‘llash mumkinligi, o‘lchamlari
kichikligi va doimiy tok va
o‘zgaruvchan tok zanjirlarida qo‘llash mumkinligi.
