147
elektrodli elektron to‘p ko‘rinishda bo‘lib, katod,
hosil qiluvchi elektrod va
anoddan iborat bo‘ladi. Bunday to‘p ikki turining sxematik konstruksiyasi 6.4 –
rasmda keltirilgan.
Mikroskopning yuqori kattalashtirishini hisobga olgan holda yoritish tizimi
obyektning juda kichik (bir necha o‘n mikron) qismini yoritishi lozim. Boshqa
qismlarning yoritilishi ularning qizishi va obyektning buzilishiga olib kelishi
mumkin.
Bundan tashqari keyinchalik kattalashtirish paytida
lyuminitsent ekranda
kerakli yoritilganlikni olish uchun yoritilayotgan qismda yetarlicha yuqori bo‘lgan
tok zichligini hosil qilish kerak. 6.4 a – rasmda keltirilgan elektrod va anod orasida
eng kichik kesimli dastani, chiqishda esa sochiluvchi dastani hosil qiluvchi
to‘pning konstruksiyasi optimal hisoblanmaydi. Shuning uchun yoritish tizimi
obyekt va to‘p orasiga joylashtirilgan va dastani obyektda to‘plovchi magnit linza
– kondensor (6.4 b – rasm.) bilan to‘ldiriladi. Uning optik kuchini o‘zgartirish
orqali dasta bilan yoritilayotgan yuzani va obyektdagi tok zichligini o‘zgartirish
mumkin.
6.4 – rasm. Elektron mikroskop yoritish sistemasining sxemasi.
Obyektdagi dastaning fokuslanishini yaxshilash uchun bugungi kunda ikkita
linzali kondensorlardan foydalanilmoqda. Bunday
turdagi yoritish tizimlari
magnitli elektron mikroskoplar uchun harakterlidir. Ayrim hollarda elektrostatik
mikroskoplarda kondensor linza bo‘lmaydi, ammo tezlashtiruvchi elektrodning
shakli murakkablashtiradi, hamda anod teshigining
diametri kattalashtiriladi,
natijada dastaning torayishi anoddan ancha uzoq masofada sodir bo‘ladi va uni
148
obyektda jamlash imkoni vujudga keladi. Bunday turdagi uzun fokusli to‘pning
konstruksiyasi 6.4 b – rasmda keltirilgan.
Ko‘rib turganimizdek, mikroskopning elektron-optik tizimi oraliq
kattalashtirish tizimlari bo‘lmasa, kamiga 2 ta, obyektiv
va proyeksion linzalarni
o‘z ichiga olishi zarur.
Asbobning to‘liq kattalashtirishi 200000 ga yaqin bo‘lganida bu linzalar juda
kuchli bo‘lishlari va 1 – 2 mm ga teng bo‘lgan fokus masofasiga ega bo‘lishlari
kerak. Magnit linzalarni ishlatishda bunday parametrlarni olish uchun, ularni
faqatgina panser bilan emas, balki asbobning ishchi hajmida joylashtirilgan qutbli
nakonechniklar bilan ham ta’minlash lozim.
Bunda hosil bo‘lgan tasvirning sifati va birinchi navbatda mikroskopning
ajrata olish qobiliyati qutbli nakonechniklar tomonidan belgilanadi:
Birinchidan,
ular magnit maydonni optik o‘q bo‘ylab
iloji boricha qisqa
sohaga jamlashi va bu maydonning amplituda bo‘yicha kattaligi 20000 atrofida
bo‘lishini ta’minlashi kerak. Demak, qutbli nakonechniklarning materiali iloji
boricha yuqori magnit o‘tkazuvchanlikka va to’yinish induksiyasiga ega bo‘lishi
kerak.
Ikkinchidan
, qutbli nakonechniklarning shakli linzaning magnit maydoni
aksial simmetriyasini ta’minlashi lozim. Buning uchun
materialning butun hajmi
bo‘yicha xususiyatlari bir jinsli bo‘lishi va material yaxshi qayta ishlanishi kerak.
Uzoq vaqt davomida linzalarning magnit simlarini tayyorlash uchun eng yaxshi
materiallar sifatida o‘ta yuqori tozalangan armko temir va 40 % li temir va 60 % li
kobalt qotishmasi hisoblangan. Undan ham yuqori natijalarni temir – nikel
qotishmalarini ishlatish orqali olish mumkin.
Proyeksion linzaning qutbli nakonechniklarining sxematik ko‘rinishi 6.5 a –
rasmda keltirilgan. Odatda, ular simmetrik tarzda joylashgan bo‘ladi, chunki bunda
linza maydonining kerakli shaklini olish imkoniyati bo‘ladi. Obyektiv linzada esa
sezilarli darajadagi kattalashtirishni hosil qilish uchun obyektni linzaning
maydoniga iloji boricha yaqin joylashtirish zarur, ya’ni obyektni yuqoridagi qutbli
nakonechniklar orasidagi tirqishga joylashtirish kerak.
149
Shuning uchun obyektiv linzadagi qutbli
nakonechniklarning shakli
simmetrik emas (6.5 b – rasm). Shuni aytib o‘tish lozimki qutbli nakonechniklarni
qanchalik katta aniqlikda yasalsa ham, ular orasidagi tirqishda hosil bo‘ladigan
maydon to‘liq aksial-simmetrik bo‘lmaydi. Shuning uchun maksimal ajrata olishga
erishish qiyinlashadi.
Maydonning bunday buzilishlariga materialning bir jinsli emasligi,
mikroyoriqlar va boshqa defektlar sabab bo‘lishi mumkin.
