• Yüklənmədən müdafiə sxemləri.
  • Microsoft Word II -an imp.+




    Download 3,55 Mb.
    bet98/142
    Sana27.05.2024
    Hajmi3,55 Mb.
    #255298
    1   ...   94   95   96   97   98   99   100   101   ...   142
    Bog'liq
    Microsoft Word II -an

    Cərəyan stabilizatoru. Yarımkeçirici cihazların köməyi ilə qida mənbələrini elə stabilləşdirmək olar ki, o sabit qiymətə malik cərəyan vermiş olsun. Sxemdəki VT tranzistoru (şəkil 7.16) qida mənbəyinin çıxışına ardıcıl qoşulmuş dəyişən rezistor rolunu oynayır. Sxemdə cərəyan iki paralel budaqdan axır. Budaqlardan biri ardıcıl qoşulmuş VD və R3, digər budaq isə R1 və VT elementlərindən təşkil edilmişdir. Əgər qida mənbəyinin çıxış cərəyanının fərqlənməsi baş verərsə, R3 müqavimətindən axan cərəyan və VT tranzistorundakı düzünə sürüşmə gərginliyi də dəyişir. VT tranzistorunun kollektor – emitter keçidinin müqaviməti dəyişərək ondan axan cərəyanın qiymətini korreksiya edir.

    Şəkil 7.16. Cərəyan stabilizatoru


    Bu cür qoşulmanın müsbət cəhəti ondan ibarətdir ki, R3 müqavimətindən axan cərəyanın istənilən dəyişməsinə VT tranzistorundan axan cərəyanın əks və bərabər dəyişməsi baş verir. Sxemin çıxış cərəyanı R1 potensiometri vasitəsilə verilir. Çıxış cərəyanının qiyməti yükün dəyişməsindən asılı olmayaraq sabit qalır. Sxemin çıxış gərginliyi isə yükdən asılı olaraq dəyişir.

        1. Yüklənmədən müdafiə sxemləri. Girişə böyük gərginlik verilən və çıxış çox yüklənən hallarda stabilizator sıradan çıxa bilər. Bu hallarda, adətən, ardıcıl qoşulmuş tranzistor sıradan çıxır. Ardıcıl stabilizatorları artıq yüklənmədən qorumaq üçün müxtəlif sxemlər mövcuddur.

    Şəkil 7.17-də göstərilən artıq yüklənmədən mühafizə sxeminin işi R3 rezistorundakı gərginliklə müəyyən edilir. Yük cərəyanının hamısı R3 rezistorundan axaraq onda uyğun gərginlik düşküsü yaradır. Yük cərəyanı müəyyən qiymətdən az olduqda R3 rezistorundakı gərginlik düşküsü VT2 tranzistorunun bazasına düzünə sürüşmə gərginliyi verməyə kifayət etmir. Odur ki, yük cərəyanının təhlükəsiz səviyyədə olduğu müddətdə VT2 tranzistoru kəsmə rejimində qalır.
    VD2 kimi silisium diodundan istifadə etdikdə çıxış kontaktı ilə VT2 tranzistorunun emitteri arasında gərginlik düşküsü 0,5 V olur. VT2 silisium tranzistorunun işləməsi üçün də 0,5 V gərginlik lazımdır. Beləliklə, R3 rezistorunda gərginlik düşküsü 1V və yaxud bir qədər çox (1,1V) olmalıdır ki, VT2 tranzistoru işə düşə bilsin. R3 rezistorunun nominal qiyməti çıxış yük cərəyanının maksimum təhlükəsiz səviyyəsində gərginlik düşküsünün 1,1V qiymətinə uyğun seçilir. VT2 tranzistoru işə düşən halda cərəyanın bir hissəsi R1 rezistorundan və VT2 tranzistorundan axır və beləliklə də VT1 tranzistorunun baza cərəyanı bir qədər azalmış olur. VT1 tranzistoru kəsmə rejimində işləyir və beləliklə də yükdən axan cərəyanın çoxalması təhlükəsini aradan qaldırır.

    Şək. 7.17. Stabilizatorun artıq yüklənmədən müdafiə sxemi


    Yükün parametrləri stabilləşdikdə R3 müqavimətindəki gərginlik düşküsü 1,1V qiymətindən az olur və VT2 tranzistoru bağlanır. Tam çıxış gərginliyi
    halında VT2 tranzistoru işləyir. Lakin cərəyana görə (və ya gücə görə) tələbat VT1 tranzistoruna olan tələbatdan yuxarı olmur.
    Çox yüklənmə halında VT1 tranzistorundan axan cərəyan R2 müqaviməti vasitəsilə məhdudlanır. R2 müqaviməti maksimum cərəyan halında yük müqavimətindən 10 dəfə çox olur.


        1. Download 3,55 Mb.
    1   ...   94   95   96   97   98   99   100   101   ...   142




    Download 3,55 Mb.